[发明专利]驱动基板

说明书

本发明提供一种驱动基板，包括一基材、多个主动元件、一导热图案层以及一缓冲层。主动元件分散配置于基材上。每一主动元件包括一栅极、一通道层、一闸绝缘层以及一源极与一漏极。源极与漏极之间暴露出部分通道层而定义出一通道区。导热图案层配置于基材上且包括至少一导热主体以及连接导热主体的至少一导热图案。导热图案对应于通道区、通道层、栅极、源极与漏极或主动元件至少其中一个的位置处。缓冲层配置在基材上覆盖导热图案层，且位于导热图案与每一主动元件之间。

技术领域

本发明涉及一种基板，尤其涉及一种驱动基板。

背景技术

目前有机半导体材料应用于有机晶体管元件时，会利用薄膜结晶的方式来形成有机半导体通道层。一般来说，使用有机溶液的溶液制程所形成的薄膜结晶，大都是通过加热的方式生成结晶。然而，有机半导体通道层的结晶均匀性对温度的变化极为要求，因此影响有机半导体通道层结晶状况的主要因素为结晶时的加热均匀性。

现有的有机半导体结晶的加热方式为使用平板加热器从底部基板加热，并由热传导方式将热传至有机半导体通道层使其结晶。然而，塑料基板接触平板加热器时，塑料基板于短时间内无法将热能均匀地传导至基板的整体，致使基板上分散设置的多个有机半导体通道层的加热速率不同，进而导致结晶速度不同。也就是说，这种方法无法有效控制每个通道层结晶结构的一致性，会增加晶体管元件电性异常的机率。

发明内容

本发明提供一种驱动基板，其可减少主动元件电性异常的机率。

本发明的驱动基板，包括一基材、多个主动元件、一导热图案层以及一缓冲层。主动元件分散配置于基材上，且每一主动元件包括一栅极、一通道层、一闸绝缘层以及一源极与一漏极。闸绝缘层配置于栅极与通道层之间。源极与漏极配置于与通道层的同一平面上，其中源极与漏极之间暴露出部分通道层而定义出一通道区。导热图案层配置于基材上，且包括至少一导热主体以及连接导热主体的至少一导热图案。导热图案对应于通道区、通道层、栅极、源极与漏极至少其中一个的位置处。缓冲层配置在基材上覆盖导热图案层，且位于导热图案与每一主动元件之间。

在本发明的一实施例中，上述的导热主体于基材上的正投影不重叠于每一主动元件于基材上的正投影。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案与缓冲层位于基材上，且源极与漏极位于闸绝缘层与缓冲层之间，且通道层位于栅极与缓冲层之间。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案于基材上的正投影与通道层的通道区于基材上的正投影重叠，且通道区于基材上的正投影面积大于或等于导热图案于基材上的正投影面积。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案于基材上的正投影与通道层于基材上的正投影重叠，且通道层于基材上的正投影面积大于或等于导热图案于基材上的正投影面积。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案于基材上的正投影与源极与漏极于基材上的正投影重叠。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案于基材上的正投影与每一主动元件于基材上的正投影重叠。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案与缓冲层位于基材上，且栅极位于闸绝缘层与缓冲层之间，且源极与漏极以及通道层位于闸绝缘层上。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案于基材上的正投影与栅极于基材上的正投影重叠。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案于基材上的正投影与通道层于基材上的正投影重叠。

在本发明的一实施例中，上述的导热图案于基材上的正投影与每一主动元件于基材上的正投影重叠。

在本发明的一实施例中，上述的基材为一可挠性基材，而通道层的材质为一有机半导体材料，且缓冲层的材质为一有机绝缘材料。

在本发明的一实施例中，上述的栅极、源极与漏极的材质至少其中的一个为一有机导电材料。