[发明专利]驱动基板有效
申请号: | 201710975904.X | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN109698159B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 倪维仕;陈泰凯;吕家勋 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 | ||
1.一种驱动基板,包括:
基材;
多个主动元件,分散配置于所述基材上,且各所述主动元件包括:
栅极;
通道层;
闸绝缘层,配置于所述栅极与所述通道层之间;以及
源极与漏极,配置于与所述通道层的同一平面上,其中所述源极与所述漏极之间暴露出部分所述通道层而定义出通道区;
导热图案层,配置于所述基材上且包括至少一导热主体以及连接所述导热主体的至少一导热图案,其中所述导热图案对应于所述通道区、所述通道层、所述栅极、所述源极与所述漏极至少其中一个的位置处;以及
缓冲层,配置在所述基材上覆盖所述导热图案层,且位于所述导热图案与各所述主动元件之间,
其中所述导热主体于所述基材上的正投影不重叠于各所述主动元件于所述基材上的正投影。
2.根据权利要求1所述的驱动基板,其中所述导热图案与所述缓冲层位于所述基材上,且所述源极与所述漏极位于所述闸绝缘层与所述缓冲层之间,且所述通道层位于所述栅极与所述缓冲层之间。
3.根据权利要求2所述的驱动基板,其中所述导热图案于所述基材上的正投影与所述通道层的所述通道区于所述基材上的正投影重叠,且所述通道区于所述基材上的正投影面积大于或等于所述导热图案于所述基材上的正投影面积。
4.根据权利要求2所述的驱动基板,其中所述导热图案于所述基材上的正投影与所述通道层于所述基材上的正投影重叠,且所述通道层于所述基材上的正投影面积大于或等于所述导热图案于所述基材上的正投影面积。
5.根据权利要求2所述的驱动基板,其中所述导热图案于所述基材上的正投影与所述源极与所述漏极于所述基材上的正投影重叠。
6.根据权利要求2所述的驱动基板,其中所述导热图案于所述基材上的正投影与各所述主动元件于所述基材上的正投影重叠。
7.根据权利要求1所述的驱动基板,其中所述导热图案与所述缓冲层位于所述基材上,且所述栅极位于所述闸绝缘层与所述缓冲层之间,且所述源极与所述漏极以及所述通道层位于所述闸绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的驱动基板,其中所述导热图案于所述基材上的正投影与所述栅极于所述基材上的正投影重叠。
9.根据权利要求7所述的驱动基板,其中所述导热图案于所述基材上的正投影与所述通道层于所述基材上的正投影重叠。
10.根据权利要求7所述的驱动基板,其中所述导热图案于所述基材上的正投影与各所述主动元件于所述基材上的正投影重叠。
11.根据权利要求1所述的驱动基板,其中所述基材为可挠性基材,而所述通道层的材质为有机半导体材料,且所述缓冲层的材质为有机绝缘材料。
12.根据权利要求11所述的驱动基板,其中所述栅极、所述源极与所述漏极的材质至少其中的一个为有机导电材料。
13.根据权利要求1所述的驱动基板,其中所述导热图案层的材质包括石墨烯、银或铜。
14.一种驱动基板,包括:
基材;
多个主动元件,分散配置于所述基材上,且各所述主动元件包括:
栅极;
通道层;
闸绝缘层,配置于所述栅极与所述通道层之间;以及
源极与漏极,配置于与所述通道层的同一平面上,其中所述源极与所述漏极之间暴露出部分所述通道层而定义出通道区;
导热图案层,配置于所述基材上且包括至少一导热主体以及连接所述导热主体的至少一导热图案,其中所述导热主体于所述基材上的正投影不重叠于各所述主动元件于所述基材上的正投影;以及
缓冲层,配置在所述基材上覆盖所述导热图案层,且位于所述导热图案与各所述主动元件之间。
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