[发明专利]半导体装置

说明书

本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。

技术领域

本揭露实施例涉及一种半导体装置。

背景技术

在封装半导体装置的操作期间，集成电路可垂直耦合到存储器电路以允许装置(诸如移动电话)具有较高组件密度。半导体装置装配有诸多集成组件(其包含具有不同热性质的各种材料)。因而，集成组件在固化半导体装置之后呈非所要配置。非所要配置将导致半导体装置的良率损失、组件之间接合欠佳、出现裂痕、组件分层等等。随着半导体装置的制造操作变得日益复杂，修改半导体装置的结构且改进制造操作存在更多挑战。因而，需要提供一种新颖半导体封装总成来解决上述缺点。

发明内容

本揭露的实施例涉及一种半导体装置，其包括：一第一介电层，其具有一第一表面；一模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；一第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的一第一表面；一通路，其安置于所述模制化合物中；及一第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。

本揭露的实施例涉及一种半导体装置，其包括：一第一介电层，其具有一第一表面；一模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；一第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的一第一表面；一通路，其安置于所述模制化合物中；及一第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层具有基本上相同的热膨胀系数(CTE)。

本揭露的实施例涉及一种制造半导体装置的方法，其包括：使一通路、一第一半导体裸片及一模制化合物形成于一第一介电层上，其中所述模制化合物经布置以模制所述通路及所述第一半导体裸片；使一第二介电层形成于所述通路、所述第一半导体裸片及所述模制化合物上；使一第一导电凸块形成于所述第二介电层上；使一孔形成所述第一介电层上；及将一第二半导体裸片的一第二导电凸块安置于所述孔上；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。

附图说明

从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是绘示根据一些实施例的半导体装置的图。

图1B是绘示根据一些实施例的图1A中的孔的俯视图的图。

图1C是绘示根据一些实施例的图1A中的孔的详细部分的横截面图。

图1D是绘示根据先前技术的孔的俯视图的图。

图2是绘示根据一些实施例的实验半导体封装装置与半导体装置之间的爆裂问题的比较的图。

图3是绘示根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图。

图4至12是对应于图3中的各种操作301至309的横截面图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供的目标的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不希望具限制性。例如，在以下描述中，“使第一装置形成于第二装置上方或第二装置上”可包含其中形成直接接触的所述第一装置及所述第二装置的实施例，且还可包含其中可在所述第一装置与所述第二装置之间形成额外装置使得所述第一装置及所述第二装置可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚起见且其本身不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。