[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一介电层，其具有第一表面；

模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上，所述模制化合物具有顶部表面；

第二介电层，其具有凹部和安置于所述模制化合物的所述顶部表面上的第一表面；

通路，其安置于所述模制化合物中，所述通路具有与所述模制化合物的所述顶部表面共面的顶部表面；

半导体裸片；

第一导电凸块，其具有突出所述第二介电层的顶部表面和与所述通路的所述顶部表面直接接触且由所述第二介电层包围并与所述模制化合物的所述顶部表面共面的底部表面，所述第一导电凸块的所述顶部表面附接到所述半导体裸片的底部，所述第一导电凸块在所述通路的所述顶部表面与所述半导体裸片的所述底部之间接触从而完全地填充所述凹部，其中所述第一导电凸块是均质导电凸块，且所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成；

填充材料，其中所述第二介电层包括与所述第二介电层的所述第一表面相对的第二表面，所述填充材料安置于所述第二介电层的所述第二表面与所述半导体裸片的所述底部之间，所述填充材料布置成包围所述第一导电凸块；所述填充材料在所述第二介电层的所述第二表面与所述半导体裸片的所述底部之间的厚度，小于包围所述第一导电凸块的所述底部表面的所述第二介电层的所述凹部的底部部分的宽度；以及

另一半导体裸片，其安置于所述模制化合物中，具有面向所述第一介电层的所述第一表面的第一表面和与所述通路和所述模制化合物的所述顶部表面共面的第二表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电层和所述第二介电层由低温聚酰亚胺构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述通路在竖直方向上与所述第一导电凸块对准，所述通路具有第一直径且所述第二介电层中的所述第一导电凸块具有第二直径，且所述第一直径等于或大于所述第二直径。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电层进一步包括与所述第一介电层的所述第一表面相对的第二表面；所述半导体装置进一步包括：

第二导电凸块，其安置于所述第一介电层的所述第二表面上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二介电层的所述凹部的顶部部分的宽度大于所述第二介电层的所述凹部的底部部分的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述填充材料与所述第二介电层的所述第二表面接触。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二介电层布置成形成由激光钻探的孔以用于容纳所述第一导电凸块，且所述孔具有平滑侧壁。