[发明专利]封装结构、封装结构的制备方法和OLED显示面板有效

专利信息
申请号: 201710966926.X 申请日: 2017-10-17
公开(公告)号: CN107623086B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 李婧;张杨扬;袁德茂;明陈兴 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗瑞芝;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 封装 结构 制备 方法 oled 显示 面板
【说明书】:

发明属于显示技术领域,具体涉及一种封装结构、封装结构的制备方法和OLED显示面板。该封装结构用于对显示器件进行封装,所述封装结构包括至少一第一材料层和对应所述第一材料层设置的第二材料层,其中,在至少对应着所述第一材料层所在区域以外的外围区域,所述第二材料层与所述第一材料层具有相反的对水亲和性能。本发明的技术方案可以有效改善封装结构的层间边缘直线性,保证较好的封装效果,提升OLED器件等易于受到水氧侵蚀的显示器件的使用寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域,具体涉及一种封装结构、封装结构的制备方法和OLED显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)作为一种新型的发光器件,在显示技术领域得到了极大的研究和应用。在OLED显示基板的制造工艺中,目前所采用的薄膜封装(Thin Film Encapsulation,简称TFE)技术是在OLED器件上生长无机层+有机层+无机层来达到阻隔H2O、O2的目的。

有机层是实现柔性薄膜封装OLED器件关键的结构。相关技术中,在形成有机层时,由于有机材料在固化前为液体状态,在喷墨打印后的流屏过程中,由于液体表面张力作用和材料粘度低,边缘流动不受控制,造成膜层边缘直线性(Linearity)差,墨水(Ink)容易溢出,造成如图1所示的锯齿边缘。如果封装过程中有机层外漏,造成目视不良,会影响封装效果,降低OLED器件的使用寿命。

在相关技术中,解决上述问题采用的方法是在背板工艺段像素限定层(PixelDefined Layer,简称PDL)设置IJP Dam(Inkjet Print Dam,即Ink阻挡区),当边缘墨水较多时,此方法只能在一定范围内阻止墨水溢出,不能改善墨水边缘直线型,并且当边缘墨水较多时,阻挡区也可能会失效。

发明内容

本发明提供一种封装结构、封装结构的制备方法和OLED显示面板,以至少部分改善封装结构层间的边缘直线性,提高封装效果。

在一个方面,本发明提供了一种封装结构,用于对显示器件进行封装,所述封装结构包括至少一第一材料层和对应于所述第一材料层设置的第二材料层,其中,在至少对应着所述第一材料层所在区域以外的外围区域,所述第二材料层与所述第一材料层具有相反的对水亲和性能。

可选的是,在至少对应着所述第一材料层所在区域以外的外围区域,所述第二材料层的对水亲和性为疏水性能,该部分所述第二材料层为疏水膜;在对应着所述第一材料层所在区域,所述第二材料层的对水亲和性为亲水性能,该部分所述第二材料层为亲水膜。

可选的是,所述第一材料层是有机层;第二材料层是无机层;在所述无机层中,所述疏水膜采用氮化硅材料形成,所述亲水膜采用氮氧化硅材料形成。

可选的是,所述第二材料层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层,所述第一材料层的正投影与所述第二子膜层的正投影重合,且所述第一材料层与所述第二子膜层直接接触,所述第二子膜层为亲水膜。

可选的是,所述第一子膜层相对于所述第二子膜层更远离所述第一材料层,所述第一子膜层的正投影面积大于所述第二子膜层的正投影面积,所述第一子膜层为疏水膜。

可选的是,所述第二材料层包括同层设置的第一子膜层和第二子膜层,所述第一材料层的正投影与所述第二子膜层的正投影重合,且所述第一材料层与所述第二子膜层直接接触,所述第二子膜层为亲水膜。

可选的是,所述第一子膜层位于所述第二子膜层的外围,所述第一子膜层的正投影位于所述显示器件的正投影之内,所述第一子膜层为疏水膜。

可选的是,所述第二材料层与所述第一材料层同层设置,且所述第二材料层仅设置于对应着所述第一材料层所在区域的外围区域,所述第一材料层的正投影位于所述第二材料层的内部。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710966926.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top