[发明专利]发光二极管及其制作方法以及显示装置有效
申请号: | 201710965441.9 | 申请日: | 2017-10-17 |
公开(公告)号: | CN109671826B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 鲍里斯.克里斯塔尔 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
一种发光二极管及其制作方法以及显示装置。该发光二极管包括第一电极、有源层和第二电极。有源层设置在第一电极上,第二电极设置在有源层远离第一电极的一侧;第二电极包括沿远离有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层;第一导电层包括多个微孔,第二导电层包括多个导电纳米颗粒。由此,该发光二极管可通过第二导电层产生的局域表面等离激元提高该发光二极管的发光效率和光提取效率。
技术领域
本发明的实施例涉及一种发光二极管及其制作方法以及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示装置的种类也越来越多。发光二极管(LightEmitting Diode,LED)显示装置由于其具有自发光、亮度高、工作电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点受到业界广泛的关注。并且,由于发光二极管显示装置不需要额外设置背光模组,具有较轻的重量,从而利于显示装置的轻薄化,因此具有较好的市场前景。
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)通常可分为有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode,OLED)和无机发光二极管(Light Emitting Diode,LED)。LED通常可采用镓(Ga)与砷(As)、磷(P)、氮(N)、铟(In)的化合物制作,通过电子与空穴复合来辐射出可见光。例如,磷砷化镓二极管可发红光,磷化镓二极管可发绿光,碳化硅二极管可发黄光,铟镓氮二极管可发蓝光。
发明内容
本发明实施例提供一种发光二极管及其制作方法和显示装置。该发光二极管包括第一电极、有源层和第二电极。有源层设置在第一电极上,第二电极设置在有源层远离第一电极的一侧;第二电极包括沿远离有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层;第一导电层包括多个微孔,第二导电层包括多个导电纳米颗粒。由此,该发光二极管可通过第二导电层产生的局域表面等离激元提高该发光二极管的发光效率和光提取效率。
本发明至少一个实施例提供一种发光二极管,其包括:第一电极;有源层,设置在所述第一电极上;以及第二电极,设置在所述有源层远离所述第一电极的一侧,其中,所述第二电极包括沿远离所述有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层,所述第一导电层包括多个微孔,所述第二导电层包括多个导电纳米颗粒,至少部分所述导电纳米颗粒通过所述多个微孔与所述有源层相接触。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述第一导电层的厚度小于10纳米。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述第一电极包括反射电极,所述第二电极包括半透明电极。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述有源层包括沿远离所述第一电极的方向上依次设置的空穴传输层,发光层以及电子传输层。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述发光层包括量子点发光层。
例如,本发明一实施例提供的发光二极管还包括:覆盖层,设置在所述第二电极远离所述有源层的一侧,所述覆盖层包括介电材料,所述介电材料在直流或低频电流下可导电,在频率范围在3.0e+14Hz至3.0e+15Hz的振荡电场下呈现介电性能。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述介电材料包括氧化铟锌、氧化铟锡、或有机半导体材料。
例如,本发明一实施例提供的发光二极管还包括:衬底基板,设置在所述第一电极远离所述有源层的一侧。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述第二导电层的厚度范围在10-15纳米。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述第一导电层的材料包括铝。
例如,在本发明一实施例提供的发光二极管中,所述第二导电层的材料包括银。
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