[发明专利]发光二极管及其制作方法以及显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一电极；

有源层，设置在所述第一电极上；以及

第二电极，设置在所述有源层远离所述第一电极的一侧，

其中，所述第二电极包括沿远离所述有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括多个微孔，所述第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分所述导电纳米颗粒通过所述多个微孔与所述有源层相接触，

所述第一导电层的厚度小于10纳米，以在所述第一导电层中形成所述多个微孔，所述多个导电纳米颗粒经过热退火处理形成。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一导电层的厚度小于10纳米。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极包括反射电极，所述第二电极包括半透明电极。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述有源层包括沿远离所述第一电极的方向上依次设置的空穴传输层，发光层以及电子传输层。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述发光层包括量子点发光层。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，还包括：

覆盖层，设置在所述第二电极远离所述有源层的一侧，所述覆盖层包括介电材料，所述介电材料在直流或低频电流下可导电，在频率范围在3.0e+14Hz至3.0e+15Hz的振荡电场下呈现介电性能。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，所述介电材料包括氧化铟锌、氧化铟锡、或有机半导体材料。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，还包括：

衬底基板，设置在所述第一电极远离所述有源层的一侧。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述第二导电层的厚度范围在10-15纳米。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述第一导电层的材料包括铝。

11.根据权利要求1-3中任一项所述的发光二极管，其中，所述第二导电层的材料包括银。

12.一种发光二极管的制作方法，包括：

形成第一电极；

在所述第一电极上形成有源层；以及

在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第二电极，

其中，所述第二电极包括沿远离所述有源层的方向上依次设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括多个微孔，所述第二导电层包括多个导电纳米颗粒，至少部分所述导电纳米颗粒通过所述多个微孔与所述有源层相接触，

所述在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第二电极包括：

在所述有源层远离所述第一电极的一侧形成第一金属层以形成所述第一导电层，所述第一导电层的厚度小于10纳米从而在所述第一导电层中形成多个微孔；

在所述第一导电层远离所述有源层的一侧形成第二金属层；以及

对所述第二金属层进行热退火处理以将所述第二金属层转变为包括多个所述导电纳米颗粒的所述第二导电层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其中，所述热退火处理的温度范围在120-180摄氏度，所述热退火处理的时间范围在20-80分钟。

14.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其中，所述热退火处理在真空环境下或氮气环境下进行。

15.根据权利要求12-14中任一项所述的发光二极管的制作方法，其中，所述第一导电层的材料包括铝。