[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法有效
| 申请号: | 201710964173.9 | 申请日: | 2017-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN107958784B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 富泽祐寿;赤石和香惠 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号: | H01G4/232 | 分类号: | H01G4/232;H01G4/30;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种陶瓷电子部件,用于抑制作为最外层具有锡层的外部电极中晶须的产生。陶瓷电子部件包括陶瓷主体和外部电极。上述外部电极沿所述陶瓷主体的表面形成,并且具有分散有空隙的锡层作为最外层。该结构中,通过在锡层中分散的孔隙来缓和由于各种原因施加于锡层的压缩应力。因此,该陶瓷电子部件中,能够抑制锡层中的晶须的产生。
技术领域
本发明涉及具有外部电极的陶瓷电子部件及其制造方法。
背景技术
随着电子设备的无铅化,对于搭载于电子设备的陶瓷电子部件也寻求无铅化。另外,寻求陶瓷电子部件中利用锡类的无铅焊料的安装性的提高。为满足该要求,以锡层作为陶瓷电子部件的外部电极的最外层是有效的。
在一般的陶瓷电子部件的外部电极包含铜层。但是,已知在铜层上形成有锡层的外部电极中,容易产生从锡层髭须状地成长的晶须。晶须一旦从锡层脱离而落到电路板上时,就成为电路板短路的原因。
晶须被认为是由于压缩应力施加在锡层而产生的。这一点,在上述外部电极,在锡层和铜层的交界部,容易产生含有锡和铜的金属间化合物。该金属间化合物,由于在生成时体积增大,所以向锡层施加压缩应力。由此,认为晶须是在锡层产生的物质。
在专利文献1、2,公开了能够抑制在锡层产生晶须的技术。专利文献1、2的技术中,在锡层与铜层之间设置镍层。由此,由于镍层阻挡锡层与铜层的接触,所以能够防止含有锡和铜的金属间化合物的形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2013/111625号公报
专利文献2:日本特开2013-91848号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,向外部电极施加压缩应力的主要原因,不只是含有锡和铜的金属间化合物的生成。例如,存在由于陶瓷电子部件在制造时或搬运时的冲击等而向外部电极的锡层施加压缩应力的情况。在该情况下,利用专利文献1、2的技术,难以防止锡层的晶须的产生。
鉴于上述情况,本发明的目的在于提供一种技术,用于抑制具有锡层作为最外层的外部电极中晶须的产生。
用于解决课题的技术手段
为达成上述目的,本发明的一个方式的陶瓷电子部件包括陶瓷主体和外部电极。
上述外部电极沿上述陶瓷主体的表面形成,并且上述外部电极包括分散有孔隙的锡层作为最外层。
该构成中,通过分散在锡层的孔隙来缓和由于各种原因施加于锡层的压缩应力。因此,该陶瓷电子部件中,能够抑制锡层中的晶须的产生。
上述外部电极还包括与上述锡层的内侧相邻接的铜层。
该构成中,即使由于在锡层与铜层的交界部生成金属间化合物而在锡层施加压缩应力时,也能够利用分散在锡层的孔隙来缓和该压缩应力。
本发明的其他实施方式的陶瓷电子部件的制造方法,包括准备陶瓷主体的步骤,和在上述陶瓷主体的表面形成外部电极的步骤。在上述形成外部电极的步骤中,包括通过溅射形成锡层来作为上述外部电极的最外层的步骤。
在上述锡层可以分散有孔隙。
上述溅射可以为磁控溅射。
上述形成外部电极的步骤包括在形成上述锡层前形成铜层的步骤。
在上述结构中,通过利用溅射形成锡层,能够迅速且容易地得到分散有孔隙的锡层。即,在上述结构中,能够得到即使施加压缩应力,也难以产生晶须的锡层。
上述铜层可以通过溅射形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳诱电株式会社,未经太阳诱电株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710964173.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





