[发明专利]阵列基板和液晶显示装置

说明书

本发明涉及一种阵列基板和液晶显示装置。该阵列基板包括：栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉设置以限定多个像素区域，像素电极设置于所述像素区域内；遮光透明电极，与所述数据线上下相对设置，且所述数据线在所述遮光透明电极上的投影落入所述遮光透明电极内；遮光金属，沿所述像素电极的边缘设置；在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。本发明还提供了相应的液晶显示装置。本发明的阵列基板和液晶显示装置解决了DBS技术下的像素漏光问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示装置。

背景技术

HVA(高垂直配向)模式是VA(垂直配向)模式中比较先进的一种，在LCD行业内被许多厂商应用于大尺寸的液晶显示屏制作模式。传统的HVA模式使用BM(黑色矩阵)对像素的栅极(gate)线和数据(data)线进行遮光，近期出现了一种data线不使用BM遮光的模式，以data BM less(数据线无BM)表述，简称DBS。

现有的液晶显示面板一般包括TFT(薄膜晶体管)阵列基板、与TFT阵列基板相对贴合设置的CF(彩色滤光片)基板及设于TFT阵列基板与CF基板之间的液晶层。图1为现有采用DBS设计的阵列基板结构的俯视示意图，从TFT阵列基板的基板一侧进行俯视，为方便显示及说明，图1中略去基板，主要显示阵列基板结构中与DBS设计相关的部分，无关的部分在此不再赘述。如图1所示，阵列基板主要包括：栅极线11和数据线12，所述栅极线11和所述数据线12交叉设置以限定多个像素区域，在像素区域内设有像素电极15；遮光透明电极13，与所述数据线12上下相对设置，且所述数据线12在所述遮光透明电极13上的投影落入所述遮光透明电极13内；遮光金属(shield metal)14，一般与所述栅极线11通过同层金属制作，沿像素电极15的边缘上下相对设置，遮光金属14的作用一般包括辅助遮光以及形成存储电容。如图所示，HVA模式的透明的像素电极15一般使用的是氧化铟锡(ITO)金属氧化物，在制备ITO层时，可以多做出一个图案——遮光透明电极13，夹在两个像素电极15之间，在数据线12之上，连接公共(common)电位，这部分是遮光透明电极13。由于遮光透明电极13电位和对侧基板的CF com(公共电极)电位都是相同的公共电位，所以夹在两个电极之间的液晶，无论像素电极15给的是什么信号，都不会产生转动。液晶不转动，意味着偏振光的相位不改变，穿过第一层偏光片的偏振光，在常黑模式的液晶显示器中，相位如果没有改变是无法穿过第二层偏光片的，起到相当于BM的作用，起到遮光的目的。对于阵列基板中采用DBS设计以外的区域，包括栅极线11在内，仍然设有黑色矩阵16(为方便显示其他结构，图中以虚线表示)进行遮蔽，黑色矩阵16一般设置于CF基板侧，也可以设置于TFT阵列基板侧。

对于像素的普通位置，以上的理论是成立的。但是对于图1中方框10所指示的区域——遮光透明电极13临近黑色矩阵16而非上下重叠的区域，该区域由于靠近TFT的栅极电极，在像素电极15和遮光金属14的末端，电场比较紊乱，液晶容易无序的转动，导致偏振光的相位改变，并且没有BM的遮蔽，而导致漏光。图2为图1中AA’截面示意图，为方便显示及说明，图2进行了放大及变形，加入了基板17，由于ITO透明，金属不透明，所以，漏光就发生在数据线12和遮光金属14之间，而且漏光一般只会在距离BM10微米以内发生，也就是图1中方框10所指的区域的纵向宽度大约为10微米。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种阵列基板，解决DBS技术下的像素漏光问题。

本发明的另一目的在于提供一种液晶显示装置，解决DBS技术下的像素漏光问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：

栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉设置以限定多个像素区域，像素电极设置于所述像素区域内；

遮光透明电极，与所述数据线上下相对设置，且所述数据线在所述遮光透明电极上的投影落入所述遮光透明电极内；