[发明专利]阵列基板和液晶显示装置有效
| 申请号： | 201710963863.2 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107561807B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 叶岩溪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 液晶 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉设置以限定多个像素区域，像素电极设置于所述像素区域内；
遮光透明电极，与所述数据线上下相对设置，且所述数据线在所述遮光透明电极上的投影落入所述遮光透明电极内；
遮光金属，沿所述像素电极的边缘设置；
在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠；
所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域定义为：遮光透明电极临近黑色矩阵的区域的最远端距离所述黑色矩阵为10微米；
所述黑色矩阵设置于所述阵列基板一侧，或者设置于与所述阵列基板相对应的CF基板一侧。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述遮光金属自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述遮光金属自身相对加宽，所述数据线自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光透明电极和像素电极由同一ITO层制作而成。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光金属与栅极线由同一金属层制作而成。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为HVA模式阵列基板。
8.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一所述的阵列基板。
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