[发明专利]OLED面板的制作方法及OLED面板有效
申请号: | 201710957781.7 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN107611283B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 张良芬;张晓星;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K50/824 | 分类号: | H10K50/824;H10K71/00;H10K59/131 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED面板的制作方法及OLED面板。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴注入层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
大尺寸的OLED面板在工作时会因为其阴极具有较大的电阻而在其不同位置产生不同的IR压降(IR Drop),导致OLED面板的亮度不均,因此,需要额外制作与阴极连接的辅助电极,通过辅助电极传输应施加在阴极上的电压,解决阴极的IR压降导致的显示不均,使OLED面板的画面显示均一稳定。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED面板的制作方法,制得的OLED面板具有与阴极连接的辅助电极,能够改善由阴极的IR压降导致的OLED面板显示不均的问题。
本发明的另一目的在于提供一种OLED面板,具有与阴极连接的辅助电极,能够改善由阴极的IR压降导致的OLED面板显示不均的问题。
为实现上述目的,本发明首先提供一种OLED面板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供TFT基板;
所述TFT基板包括:衬底基板、及设于所述衬底基板上且间隔的TFT及辅助电极;所述TFT具有源极;
步骤S2、在所述TFT基板上形成平坦层,对所述平坦层进行图案化,形成分别暴露所述源极、及辅助电极的第一过孔、及第二过孔;
步骤S3、在所述平坦层上形成间隔的阳极、及搭接电极;
所述阳极经第一过孔与源极连接,所述搭接电极经第二过孔与所述辅助电极连接;
步骤S4、在所述搭接电极上形成多个表面具有尖角的金属凸起;
步骤S5、在所述平坦层、阳极、及搭接电极上形成像素界定层,所述像素界定层上设有暴露所述阳极的第一开口,且所述像素界定层暴露所述搭接电极上设有金属凸起的区域;
步骤S6、于所述第一开口内的阳极上依次形成空穴注入层、空穴传输层、及发光层;在所述发光层、像素界定层、搭接电极、及金属凸起上依次形成电子传输层、电子注入层、及阴极;
步骤S7、向所述辅助电极或搭接电极上施加电压,使所述电子传输层及电子注入层上与所述金属凸起的尖角对应的部分被烧掉而形成多个第二开口,所述阴极通过第二开口与所述金属凸起连接。
所述TFT包括:设于所述衬底基板上方的有源层、于所述有源层上依次设置的栅极绝缘层及栅极、覆盖所述有源层及栅极的层间绝缘层、及设于所述层间绝缘层上且间隔的源极及漏极;
所述辅助电极包括设于所述层间绝缘层上且与所述源极、及漏极均间隔的第一子辅助电极;所述第二过孔暴露出所述第一子辅助电极;
所述层间绝缘层上设有分别位于所述有源层两侧上方的第三过孔及第四过孔,所述源极及漏极分别通过所述第三过孔及第四过孔与所述有源层的两侧连接。
所述辅助电极还包括设于所述衬底基板上的第二子辅助电极;
所述TFT基板还包括:设于所述衬底基板上且与所述第二子辅助电极间隔的金属遮光层、及设于所述衬底基板上覆盖金属遮光层及第二子辅助电极的缓冲层;所述有源层设于所述缓冲层上且对应位于金属遮光层上方,所述层间绝缘层设于所述缓冲层上且覆盖所述有源层及栅极;
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