[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有凸出于所述衬底的临时鳍部和伪鳍部；

在所述衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述临时鳍部的侧壁以及所述伪鳍部的侧壁；

去除所述伪鳍部，在所述第一隔离层内形成第一凹槽；

形成填充满所述第一凹槽的第二隔离层；

去除所述临时鳍部，在所述第一隔离层内形成第二凹槽；

形成填充满所述第二凹槽的替代鳍部，所述替代鳍部的材料与所述临时鳍部的材料不同；

去除部分厚度的所述第一隔离层以及所述第二隔离层，剩余所述第一隔离层顶部以及所述第二隔离层顶部低于所述替代鳍部顶部；

其中，形成所述第二隔离层的工艺步骤为：采用原子层沉积工艺在所述第一隔离层顶部、所述临时鳍部顶部、所述第一凹槽内以及所述第一凹槽顶部形成第二隔离膜；所述原子层沉积工艺的参数包括：前驱体为正硅酸乙酯；温度为80摄氏度～700摄氏度；气压为5毫托～50托；循环次数为20～500；去除位于所述第一隔离层顶部、所述临时鳍部顶部以及所述第一凹槽顶部的第二隔离膜，形成所述第二隔离层。

2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用选择性外延工艺形成所述替代鳍部。

3.如权利要求2所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在形成所述替代鳍部之前，还包括步骤：采用选择性外延工艺，在所述第二凹槽底部形成外延过渡层。

4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述外延过渡层的材料与所述衬底的材料相同。

5.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述外延过渡层的材料与所述替代鳍部的材料相同，且所述外延过渡层的生长温度低于所述替代鳍部的生长温度。

6.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述替代鳍部的材料为锗化硅或铟砷化镓。

7.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，先形成所述第二隔离层，后形成所述替代鳍部。

8.如权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的工艺步骤包括：在所述第一隔离层顶部以及所述临时鳍部顶部形成第一光刻胶层；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述伪鳍部，形成所述第一凹槽；去除所述第一光刻胶层。

9.如权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的工艺步骤包括：在所述第一隔离层顶部以及所述第二隔离层顶部形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述临时鳍部，形成所述第二凹槽；去除所述第二光刻胶层。

10.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述临时鳍部与所述伪鳍部的宽度相同；所述临时鳍部与所述伪鳍部的高度相同。

11.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在形成所述第一隔离层之前，所述临时鳍部和所述伪鳍部在所述衬底上等间距并列排布。

12.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述衬底包括边缘区域以及所述边缘区域包围的中心区域；其中，所述伪鳍部位于所述边缘区域上方，且所述临时鳍部位于所述中心区域上方。