[发明专利]一种碳化硅功率器件封装结构有效
| 申请号： | 201710947525.X | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107768326B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张国斌;赵妙;金智;许恒宇;何在田;万彩萍;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅功率器件封装结构，包括：
芯片，用于实现所述器件的主要功能；
基板，用于连接到所述芯片并提供散热；
塑封体，用于提供所述芯片和基板的外部塑封；
其特征在于，所述基板表面的中间部位设置有凸起的键合部，所述芯片表面设置有凹进的键合配位部，当所述基板和芯片通过焊料键合时，所述键合部与所述键合配位部嵌套连接；所述芯片的键合配位部和所述基板的键合部之间的空隙通过所述焊料进行填充。
2.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，所述键合部呈圆柱形，所述键合配位部呈圆孔型。
3.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，所述键合部与所述基板一体成型。
4.根据权利要求3所述的器件封装结构，其特征在于，所述键合部与所述基板的材料均为铜。
5.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，所述芯片的键合配位部区域表面生长一层绝缘氧化膜。
6.根据权利要求5所述的器件封装结构，其特征在于，所述绝缘氧化膜为SiO2膜。
7.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，所述焊料为铅锡焊料。
8.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，所述塑封体材料为环氧树脂。
9.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于，所述器件封装结构与TO-247封装外观尺寸相同。
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