[发明专利]具有延伸到导热电介质片外的导电层的芯片载体

说明书

一种芯片载体(100)，其包括导热电绝缘片(102)、位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104)和位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106)，其中，所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外。

技术领域

本发明涉及多种芯片载体、一种封装体、一种车辆、一种使用方法和多种制造方法。

背景技术

例如用于汽车应用的功率模块为一个或两个以上功率器件提供物理容纳，该功率器件通常是成包括一个或两个以上集成电路器件的电子芯片形式的功率半导体装置。功率模块的集成电路器件的示例是绝缘栅双极晶体管(IGBT：Insulated Gate BipolarTransistor)和二极管。

还有潜在的空间在高效地去除热量和提供扩展功能的同时简化封装体的可制造性。

发明内容

可能需要一种芯片载体和一种封装体，从而在高效地去除在运行期间产生的热量的同时简化了可制造性并提供了扩展功能。

根据一个示例性实施例，提供了一种芯片载体，其包括：导热电绝缘片、位于所述片的第一主表面上(特别是直接地，即在之间没有附加元件，或者间接地，即在之间具有至少一个附加元件)的第一导电结构和位于所述片的第二主表面上(特别是直接地，即在之间没有附加元件，或者间接地，即在之间具有至少一个附加元件)的第二导电结构，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构延伸到所述片的侧向边缘(特别是外侧向边缘)外。

根据另一示例性实施例，提供了一种芯片载体，其包括：导热电绝缘片、位于所述片的第一主表面上的第一导电结构和位于所述片的第二主表面上的第二导电结构，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构中的至少一个(特别是两者)延伸到所述片的侧向边缘外并且比所述片具有更大的表面(即，具有面积比所述片的相应主表面的面积更大的主表面)。

根据又一示例性实施例，提供了一种封装体(例如功率封装体)，其包括：具有上述特征的芯片载体、安装在所述芯片载体的所述第一导电结构上的至少一个电子芯片(例如半导体芯片)以及包封所述至少一个电子芯片的至少一部分和所述芯片载体的至少一部分的包封材料。

根据又一示例性实施例，提供了一种制造芯片载体的方法，其中，所述方法包括：将导热电绝缘片、位于所述片的第一主表面上的第一导电结构和位于所述片的第二主表面上的第二导电结构互连，以及将所述第一导电结构和所述第二导电结构中的一个或两者配置成延伸到所述片的侧向边缘外。

根据又一示例性实施例，提供了一种制造封装体的方法，其中，所述方法包括：提供具有上述特征的芯片载体，将至少一个电子芯片安装在所述芯片载体的所述第一导电结构上，以及通过包封材料包封所述至少一个电子芯片的至少一部分和所述芯片载体的至少一部分。

根据另一示例性实施例，提供了一种车辆，其包括具有上述特征的芯片载体或具有上述特征的封装体。

根据又一示例性实施例，具有上述特征的芯片载体或具有上述特征的封装体用于汽车应用。