[发明专利]具有延伸到导热电介质片外的导电层的芯片载体有效

专利信息
申请号: 201710947225.1 申请日: 2017-10-12
公开(公告)号: CN107946258B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: A·格拉斯曼;W·哈布莱;J·赫格尔;A·凯斯勒;I·尼基廷;A·施特拉斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周家新
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 延伸到 导热 电介质 导电 芯片 载体
【权利要求书】:

1.一种芯片载体(100),包括:

·导热电绝缘片(102);

·位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104);

·位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106);

·其中,所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外,使得凹部(114)或底切部形成在由所述片(102)、第一导电结构(104)和第二导电结构(106)组成的堆叠体的侧向边缘处;

·其中,所述第一导电结构包括被配置用于安装至少一个电子芯片的至少一个安装区域,且所述第一导电结构附加性地包括至少一个另外的功能元件,所述至少一个另外的功能元件包括用于电连接所述至少一个电子芯片的至少一个引线;以及

·其中,连接介质(128)设置在所述片(102)与所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)中的至少一个之间。

2.根据权利要求1所述的芯片载体(100),其中,所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)中的至少一个比所述片(102)具有更大的表面积。

3.根据权利要求1或2所述的芯片载体(100),其中,所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)中的至少一个比所述片(102)具有更大的厚度。

4.根据权利要求1或2所述的芯片载体(100),其中,所述第二导电结构(106)被配置为连续层。

5.根据权利要求1或2所述的芯片载体(100),其中,所述凹部(114)或所述底切部围绕所述芯片载体(100)的周边延伸。

6.根据权利要求1或2所述的芯片载体(100),其中,所述芯片载体(100)包括与所述第一导电结构(104)整体形成并承载所述第一导电结构(104)的引导框架(116)。

7.一种封装体(120),包括:

·芯片载体(100),包括:

导热电绝缘片(102);

位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104);

位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106);

其中,所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外,使得凹部(114)或底切部形成在由所述片(102)、第一导电结构(104)和第二导电结构(106)组成的堆叠体的侧向边缘处;

其中,连接介质(128)设置在所述片(102)与所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)中的至少一个之间;

·安装在所述芯片载体(100)的所述第一导电结构(104)上的至少一个电子芯片(110);

·包封所述至少一个电子芯片(110)的至少一部分和所述芯片载体(100)的至少一部分的包封 材料(122)。

8.根据权利要求7所述的封装体(120),其中,所述封装体(120)包括在与所述芯片载体(100)相反的一侧上安装在所述至少一个电子芯片(110)上或上方的另外的芯片载体(124)。

9.根据权利要求8所述的封装体(120),其中,所述另外的芯片载体(124)是包括以下的芯片载体:

·导热电绝缘片(102);

·位于所述片(102)的第一主表面上的第一导电结构(104);

·位于所述片(102)的第二主表面上的第二导电结构(106);

·其中,所述第一导电结构(104)和所述第二导电结构(106)延伸到所述片(102)的侧向边缘外,使得凹部(114)或底切部形成在由所述片(102)、第一导电结构(104)和第二导电结构(106)组成的堆叠体的侧向边缘处。

10.根据权利要求8或9所述的封装体(120),其中,所述封装体(120)在所述至少一个电子芯片(110)与所述另外的芯片载体(100)之间包括至少一个间隔体(126)。

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