[发明专利]光电子半导体芯片在审
| 申请号： | 201710946421.7 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107731806A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 洛伦佐·齐尼;贝恩德·伯姆 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/00;H01L33/20;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
1.一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有：半导体层(2)，所述半导体层具有用于产生光的有源区(5)；具有用于将光耦合输出的耦合输出结构(15，23)；具有在所述半导体层(2)的区域周围的分离槽(16)并且具有环绕的被刻蚀的边缘区域(24)，其中所述分离槽(16)在所述半导体层(2)的整个厚度上形成。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中中间区域(23)具有耦合输出结构(15)，所述中间区域(23)由未粗糙化的边缘区域(22)包围，并且所述耦合输出结构(15)是粗糙化的。
3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述半导体层(2)至少在上侧上具有外延施加的层。
4.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述半导体层(2)具有至少一个GaN层。
5.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述半导体层(2)包括至少一个有源层，所述有源层基于InGaAlN。
6.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述半导体层(2)的上侧包括呈被刻蚀的表面形式的耦合输出结构(15)。
7.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述耦合输出结构(15)具有在所述半导体层(2)中的凹部。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其中所述凹部棱锥形地构成。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其中棱锥形的所述凹部的底部具有六边形的形状。
10.一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有：
-半导体层(2)，所述半导体层具有用于产生光的有源区(5)，
-用于将光耦合输出的粗糙化的耦合输出结构(15，23)，
-在所述半导体层(2)的区域周围的分离槽(16)，并且
-环绕的被刻蚀的边缘区域(24)，其中所述半导体层(2)在粗糙化的中间区域(23)具有粗糙化的耦合输出结构(15)，所述耦合输出结构由光滑的未粗糙化的边缘(22)包围。
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