[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

将第一半导体管芯及第一虚拟管芯贴合到载体，其中所述第一半导体管芯的厚度大于所述第一虚拟管芯的厚度，所述第一虚拟管芯的第一侧壁与所述第一半导体管芯相邻，所述第一虚拟管芯的第二侧壁与所述第一侧壁平行，且所述第二侧壁为相对于第一半导体管芯最远的侧壁；

在所述载体上形成第一模塑化合物层，所述第一模塑化合物层沿所述第一半导体管芯的侧壁及所述第一虚拟管芯的侧壁延伸；以及

在所述第一模塑化合物层上形成第一内连结构，其中：

所述第一内连结构包括第一金属特征，所述第一金属特征电耦合到所述第一半导体管芯；

所述第一内连结构包括直接位于第一虚拟管芯上的第二金属特征，所述第二金属特征延伸超出所述第一虚拟管芯的所述第二侧壁且与所述第一虚拟管芯的所述第二侧壁横向重叠；且

所述第一模塑化合物层形成在所述第一虚拟管芯与所述第一金属特征之间，且所述第一内连结构的所述第二金属特征以及所述第一虚拟管芯仅通过介电材料隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述载体上形成所述第一模塑化合物层包括对所述第一模塑化合物层执行薄化工艺，直到暴露出所述第一半导体管芯的顶表面。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将第二虚拟管芯贴合到所述载体，其中：

所述第一半导体管芯的所述厚度大于所述第二虚拟管芯的厚度；且

所述第二虚拟管芯与所述第一虚拟管芯位于所述第一半导体管芯的相对两侧上。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将第二虚拟管芯、第三虚拟管芯及第四虚拟管芯贴合到所述载体，其中：

所述第一半导体管芯的所述厚度大于所述第二虚拟管芯的厚度、所述第三虚拟管芯的厚度及所述第四虚拟管芯的厚度；

所述第一虚拟管芯及所述第二虚拟管芯以第一方向为基准位于所述第一半导体管芯的相对两侧上；且

所述第三虚拟管芯及所述第四虚拟管芯以第二方向为基准位于所述第一半导体管芯的相对两侧上，其中所述第一方向与所述第二方向正交。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一半导体管芯的长度实质上等于所述第一虚拟管芯的长度。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将第二半导体管芯及第二虚拟管芯安装到所述第一内连结构上，其中所述第二半导体管芯的厚度大于所述第二虚拟管芯的厚度；

在所述第一内连结构上形成第二模塑化合物层，所述第二模塑化合物层沿所述第二半导体管芯的侧壁及所述第二虚拟管芯的侧壁延伸；以及

在所述第二模塑化合物层上形成第二内连结构，其中所述第二模塑化合物层使所述第二内连结构的第三金属特征与所述第二虚拟管芯电绝缘。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二虚拟管芯的中心与所述第一虚拟管芯的中心垂直对齐。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二虚拟管芯的中心与所述第一半导体管芯的中心垂直对齐。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一模塑化合物层中形成第一通孔及第二通孔，其中所述第一半导体管芯及所述第一虚拟管芯位于所述第一通孔与所述第二通孔之间；以及

在所述第一模塑化合物层上安装顶部封装，其中所述顶部封装的第一凸块与所述第一通孔形成接头结构。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体管芯包括多个有源电路，且所述第一虚拟管芯不包含任何有源电路。