[发明专利]一种高导热铝基板及其制造工艺

权利要求书

1.一种高导热铝基板，包括铝基板本体(2)，其特征在于：所述铝基板本体(2)上方固定焊接有绝缘板(3)，所述绝缘板(3)上方设有导电铝箔层(4)，所述导电铝箔层(4)上方从左至右均匀设有硅胶层(6)，所述硅胶层(6)上方粘接有芯片(7)，所述芯片(7)左侧壁设有正极引脚(5)，所述芯片(7)右侧设有负极引脚(8)，所述正极引脚(5)和负极引脚(8)均通过焊锡料(9)固定焊接在导电铝箔层(4)上，所述铝基板本体(2)的下端面从左至右均匀设有散热翘片(1)。

2.根据权利要求1所述的一种高导热铝基板，其特征在于：所述绝缘板(3)是由高导热性、高绝缘的陶瓷介质填充的聚合物构成。

3.根据权利要求1所述的一种高导热铝基板，其特征在于：所述铝基板本体(2)的厚度为0.6-1.6mm。

4.根据权利要求1所述的一种高导热铝基板，其特征在于：所述导电铝箔层(4)的厚度为0.12-0.25mm。

5.根据权利要求1所述的一种高导热铝基板，其特征在于：所述铝基板本体(2)的上下端面均设有保护膜。

6.一种权利要求所述的高导热铝基板制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、开料：确定铝基板本体的尺寸，利用剪切机把大尺寸的原料铝基板剪成特定尺寸的铝基板本体；

S2、铝基板本体预处理：将铝基板本体浸入40-50℃含3％-5％的NaOH的溶液中浸泡25min，对铝基板本体进行除油；

S3、铝基板本体阳极氧化：将S2中除油后的铝基板本体浸入温度13-26℃含12％的硫酸的水溶液中进行阳极氧化；

S4、清洗烘干：将S3中经阳极氧化后的铝基板本体放入水槽中利用清水进行清洗，清洗后再把其放入烘干箱内进行烘干，此时烘干箱的烘干温度可设定为80-90℃；

S5、焊接绝缘板：利用焊接机将绝缘板焊接在经S4步烘干的铝基板本体上；

S6、第一次真空压合：利用真空压合机将导电铝箔层压合在绝缘板上，真空压合机的压合温度设置为180-190℃，真空压合机的气压为0.4-0.6MP,真空压合机的压合力为7-13Kg/cm²；

S7、第二次真空压合：利用真空压合机将硅胶层均匀压合在导电铝箔层的上端面上，真空压合机的压合温度设置为160-170℃，真空压合机的气压为0.3-0.5MP,真空压合机的压合力为5-12Kg/cm²；

S8、焊接粘接芯片：将胶原料涂布于芯片底座中，使得芯片底座上的胶原料与硅胶层相接触，即可完成芯片和硅胶层的固定粘贴，再利用焊接机把芯片的正极引脚和负极引脚分别通过焊锡料焊接在导铝箔层上；

S9、在S8完成后利用焊接机在铝基板本体的下端面上均匀焊接散热翘片；

S10、检验包装：最终进行外观检验，如果检验合格可立即进行包装。