[发明专利]半导体芯片和具有半导体芯片的半导体封装体有效
申请号: | 201710933867.6 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN107689366B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 李承烨 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/48;H01L23/552 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 具有 封装 | ||
本发明公开了一种半导体芯片,包括半导体基板和屏蔽层,半导体基板具有一个表面、背对一个表面的另一表面和形成在一个表面上的集成电路,屏蔽层形成在半导体基板中以对应于另一表面。
本申请是申请号为201310384376.2、申请日为2013年8月29日、发明名称为“半导体芯片和具有半导体芯片的半导体封装体”的中国专利申请的分案申请。本申请的母案申请要求了于2012年8月30提交韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2012-95311号的优先权,其全文引用结合于此。
技术领域
本发明总体上涉及半导体装置,更具体涉及适合于改善EMI(电磁干扰)特性的半导体芯片以及具有该半导体芯片的半导体封装体。
背景技术
当前,电子工业倾向于以低成本制造高可靠性的产品,从而实现体轻、小型化、高速运行、多功能和高性能。封装装配技术被认为是用于实现设计这样产品的目的的重要技术之一。封装装配技术是要保护具有形成于其中的集成电路的半导体芯片不受外部环境的影响,以及易于将半导体芯片安装到基板,从而可保证半导体芯片的运行可靠性。
近来,由于半导体装置的运行速度的增加,半导体芯片中产生大量的电磁波,使得采用半导体芯片制造的电子设备的可靠性可能下降。就是说,具有高速运行的集成电路的半导体芯片中不可避免地产生电磁波。在这样的半导体芯片用于电子设备中的情况下,由于从半导体芯片产生的电磁波被辐射,在安装到该电子设备的其它电子产品中可能导致电磁干扰(EMI)。结果,在其中使用半导体芯片的电子设备中可能产生电磁噪声或诸如误操作的失效,由此电子设备的可靠性可能劣化。具体地,随着半导体芯片的响应速度增加并且半导体芯片具有高容量,归因于电磁波辐射的电磁干扰问题变得严重。
作为阻挡这样的电磁波的方法,已经提出在将半导体芯片组装成半导体封装体之后在半导体封装体的模制部件上形成屏蔽层的方法。然而,即使在此情况下,产生的问题也在于半导体封装体的尺寸由于存在形成于半导体封装体的模制部件上的屏蔽层而增加。另外,不可能解决半导体封装体中半导体芯片之间以及半导体芯片与基板之间的电磁干扰问题。
发明内容
各种实施例涉及适于改善EMI(电磁干扰)特性且实现重量轻、薄型、紧凑和小型化的半导体芯片。
再者,实施例涉及具有半导体芯片的半导体封装体。
在实施例中,半导体芯片包括:半导体基板,具有一个表面、背对该一个表面的另一表面、以及形成在该一个表面上的集成电路;以及屏蔽层,形成在半导体基板中以对应于该另一表面。
半导体芯片还可包括穿透半导体基板和屏蔽层并且与集成电路电连接的第一穿透电极;以及使第一穿透电极和屏蔽层彼此电隔离的电介质层。半导体基板可分成其中设置有集成电路的核心区域和限定在核心区域之外的周边区域,并且第一穿透电极可形成在核心区域中。
半导体芯片还可包括穿过半导体基板和屏蔽层并且与屏蔽层电连接的第二穿透电极。半导体基板可分成其中设置有集成电路的核心区域和限定在核心区域之外的周边区域,并且第二穿透电极形成在周边区域中。多个第二穿透电极可沿着核心区域的边缘形成。
屏蔽层可形成为与半导体基板的另一表面以预定距离分离开。与此不同,屏蔽层形成为暴露在半导体基板的另一表面上。
半导体芯片还可包括:附加屏蔽层,其形成在半导体基板的侧表面上且与屏蔽层电连接;以及形成在附加屏蔽层和半导体基板的侧表面之间的电介质层。
半导体基板还可具有凹槽,其限定在半导体基板的侧表面上,使一个表面和另一表面彼此连接并使屏蔽层暴露。半导体芯片还可包括:形成在凹槽中且与屏蔽层电连接的附加屏蔽层;以及形成在屏蔽层和半导体基板之间的电介质层。
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