[发明专利]半导体芯片和具有半导体芯片的半导体封装体有效
申请号: | 201710933867.6 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN107689366B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 李承烨 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/48;H01L23/552 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 具有 封装 | ||
1.一种包含多个半导体芯片的半导体封装体,半导体芯片中的每一个包括:
半导体基板,所述半导体基板具有一个表面、背对所述一个表面的另一表面,以及所述一个表面上形成的集成电路;
屏蔽层,所述屏蔽层形成在所述半导体基板中,以对应于所述另一表面;
第一穿透电极,所述第一穿透电极穿透所述半导体基板和所述屏蔽层,并且与所述集成电路电连接;以及
第二穿透电极,所述第二穿透电极穿透所述半导体基板和所述屏蔽层,并且与所述屏蔽层电连接,
其中所述多个半导体芯片由所述第一穿透电极和所述第二穿透电极的介质堆叠,
其中所述半导体芯片的第二穿透电极彼此连接并构成所述半导体芯片的接地屏蔽层的接地通路。
2.根据权利要求1所述的半导体封装体,还包括:
结构体,所述结构体具有与所述第一穿透电极电连接的连接电极和与所述第二穿透电极电连接的接地电极。
3.根据权利要求2所述的半导体封装体,其中所述半导体芯片设置为使得所述半导体基板的所述另一表面面对所述结构体,且所述半导体基板的所述一个表面背对所述结构体。
4.根据权利要求2所述的半导体封装体,其中所述半导体芯片设置为使得所述半导体基板的所述一个表面面对所述结构体,且所述半导体基板的所述另一表面背对所述结构体。
5.根据权利要求1所述的半导体封装体,还包括:
结构体,所述结构体具有连接电极和接地电极,所述连接电极与所述堆叠的半导体芯片当中最下面的半导体芯片的所述第一穿透电极电连接,并且所述接地电极与所述最下面的半导体芯片的所述第二穿透电极电连接。
6.根据权利要求5所述的半导体封装体,其中所述堆叠的半导体芯片设置为使得每个半导体基板的所述另一表面面对所述结构体,且每个半导体基板的所述一个表面背对所述结构体。
7.根据权利要求5所述的半导体封装体,其中所述堆叠的半导体芯片设置为使得每个半导体基板的所述一个表面面对所述结构体,且每个半导体基板的所述另一表面背对所述结构体。
8.根据权利要求5所述的半导体封装体,其中所述堆叠的半导体芯片的最下面的半导体芯片设置为使得所述半导体基板的所述另一表面面对所述结构体,且所述半导体基板的所述一个表面背对所述结构体,并且所述堆叠的半导体芯片的最上面的半导体芯片设置为使得所述半导体基板的所述一个表面面对所述结构体,且所述半导体基板的所述另一表面背对所述结构体。
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