[发明专利]超低介电常数金属间介电层的形成方法

权利要求书

1.一种超低介电常数金属间介电层的形成方法，包括：

形成一第一金属间介电层于一基底上，该第一金属间介电层包括多个介电材料层，所述多个介电材料层的至少一个包括铝，所述多个介电材料层的至少一个包括掺杂氧的碳化物；

形成一粘着层于该第一金属间介电层上；

形成一超低介电常数介电层于该粘着层上；

形成一保护层于该超低介电常数介电层上；

形成一硬遮罩于该保护层上，且将该硬遮罩图案化以产生一窗口；

移除该窗口下的层以产生一开口，其中该被移除的层包含该保护层、该超低介电常数介电层、该粘着层及该第一金属间介电层；以及

形成一金属层于该开口内。

2.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，还包括进行一平坦化制程，其中该平坦化制程包括化学机械平坦化。

3.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中所述多个介电材料层包括氮化铝层、一第一掺杂氧的碳化物层、氧化铝层和一第二掺杂氧的碳化物层。

4.如权利要求3所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该超低介电常数介电层包括掺杂碳且富含氧的氧化硅材料。

5.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该超低介电常数介电层的形成，包括在一电浆增强化学气相沉积或一物理气相沉积制程中，使用低流速的一前驱物，其中该前驱物包括甲基二乙氧基甲基硅烷，且该低流速是小于约900标准立方公分每分钟的流速。

6.如权利要求5所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该超低介电常数介电层的形成，包括在该电浆增强化学气相沉积或该物理气相沉积制程中，使用低的前驱物与载体气体的流速比值，其中一载体气体包括氦，且该低的前驱物与载体气体的流速比值小于约0.2。

7.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该粘着层包括氧化物层或碳化物层，其中该氧化物层包括氧化硅，该碳化物层包括碳氧化硅。

8.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该保护层包括一介电盖材料，该介电盖材料包括无氮抗反射层。

9.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该保护层包括一介电盖材料，该介电盖材料包括四乙氧基硅烷，该硬遮罩包括氮化钛。

10.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该金属层包括后段制程的金属互连线，该金属层包括铜。

11.如权利要求1所述的超低介电常数金属间介电层的形成方法，其中该基底包括一晶圆，该晶圆包含一硅晶圆，且该晶圆包括电子电路。

12.一种集成电路的制造方法，包括：

形成多个装置于一基底上，以产生一制程中的基底；以及

通过通过产生后段制程金属和多个介电层，对所述多个装置实施传导电力和信号布线互连，该后段制程金属和该些介电层的产生是藉由：

形成一金属间介电层于该制程中的基底上，该金属间介电层包括多个介电材料层，所述多个介电材料层的至少一个包括铝，所述多个介电材料层的至少一个包括掺杂氧的碳化物；

形成一超低介电常数介电层于该金属间介电层上；

形成一介电盖于该超低介电常数介电层上；

形成一硬遮罩于该介电盖上，及将该硬遮罩图案化以产生一窗口，该硬遮罩包含氮化钛；

移除该窗口下的多个层以产生一沟槽，所述移除的层包含该介电盖、该超低介电常数介电层和该金属间介电层；以及

在该沟槽中形成包含铜的一金属层。