[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710928567.9 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN107564967B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 横山雅俊;小森茂树;佐藤学;冈崎健一;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明涉及显示装置。本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动,来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖,并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
本分案申请是基于申请号为201380038555.9,申请日为2013年7月8日,发明名称为“显示装置”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的一个实施方式涉及显示装置及该显示装置的制造方法。
背景技术
用于大多数液晶显示装置或以利用电致发光(EL:Electro Luminessence)的发光显示装置为代表的平板显示器等显示装置的晶体管都包含形成于玻璃衬底上的如非晶硅、单晶硅或多晶硅等的半导体。
代替上述硅半导体,将呈现半导体特性的氧化物(以下称为氧化物半导体)用于晶体管的技术受到关注。
例如,已公开了使用In-Ga-Zn氧化物层作为氧化物半导体来制造晶体管并将该晶体管用作显示装置的像素的开关元件等的技术(参照专利文献1)。
[参考文献]
[专利文献1]日本专利申请公开2007-123861号公报
发明内容
在沟道形成区中包含氧化物半导体的晶体管中,当如氢或水分等杂质侵入氧化物半导体时,载流子生成,因此晶体管的电特性变动。
为此,在包含于显示装置的晶体管中,当如氢或水分等杂质从设置于晶体管上的有机绝缘膜非特意地侵入晶体管的半导体层时,半导体层的载流子密度增加,由此晶体管的电特性变动。
另外,有当晶体管的特性变动时显示装置的显示质量下降且可靠性降低的问题。
鉴于上述观点,本发明的一个实施方式的目的是抑制包含在显示装置中的晶体管的电特性变动来提高可靠性。另一个目的是抑制包含晶体管的显示装置的显示质量的下降来提高可靠性。
本发明的一个实施方式的显示装置包括晶体管、为了减少因该晶体管导致的不均匀度而设置于晶体管上的有机绝缘膜、以及有机绝缘膜上的电容器。通过采用电容器的构成要素(透明导电层及无机绝缘膜)不覆盖整个有机绝缘膜的表面的结构,从有机绝缘膜释放出的气体(也称为释放气体)可以从该有机绝缘膜的上表面的部分释放至有机绝缘膜的外部。
本发明的一个实施方式是显示装置,该显示装置包括像素部,该像素部包括晶体管、覆盖晶体管的第一无机绝缘膜、第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜、有机绝缘膜上的第一透明导电层、第一透明导电层上的第二无机绝缘膜、隔着第二无机绝缘膜至少设置在第一透明导电层上并在有机绝缘膜及第一无机绝缘膜中形成的开口中与晶体管的源电极层或漏电极层电连接的第二透明导电层、以及第二透明导电层上的液晶层。在像素部中,第二无机绝缘膜的边缘部位于与有机绝缘膜重叠的区域中。
当第二无机绝缘膜的边缘部位于与有机绝缘膜重叠的区域中时,有机绝缘膜具有不与第二无机绝缘膜重叠的区域。由此,来自有机绝缘膜的释放气体可以从与第二无机绝缘膜不重叠的有机绝缘膜的露出区域向上方释放出。
另外,在上述结构中,有机绝缘膜的不与第二无机绝缘膜重叠的区域也可以与晶体管重叠。
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