[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201710928567.9 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107564967B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 横山雅俊;小森茂树;佐藤学;冈崎健一;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
包含沟道形成区的半导体层；
与所述沟道形成区重叠的栅电极；
所述半导体层和所述栅电极之上的第一无机绝缘膜；
所述第一无机绝缘膜之上的有机绝缘膜；以及
在所述有机绝缘膜之上并与所述有机绝缘膜接触的第二无机绝缘膜，
其中所述有机绝缘膜包括不与所述第二无机绝缘膜重叠且与所述第一无机绝缘膜和所述栅电极重叠的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极位于所述半导体层的下方。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层是氧化物半导体层。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn氧化物。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一无机绝缘膜与所述第二无机绝缘膜接触。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二无机绝缘膜包含硅和氮。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述有机绝缘膜包含有机树脂。
8.一种半导体装置，包括：
包含沟道形成区的氧化物半导体层；
与所述沟道形成区重叠的栅电极；
在所述氧化物半导体层之上并与所述氧化物半导体层电连接的第一导电层；
在所述氧化物半导体层之上并与所述氧化物半导体层电连接的第二导电层；
所述氧化物半导体层、所述栅电极、所述第一导电层和所述第二导电层之上的第一无机绝缘膜；
所述第一无机绝缘膜之上的有机绝缘膜；
所述有机绝缘膜之上的第一透明导电层；
在所述有机绝缘膜之上并且与所述有机绝缘膜接触的第二无机绝缘膜，所述第二无机绝缘膜位于所述第一透明导电层之上；
所述第一透明导电层之上的第二透明导电层，所述第二无机绝缘膜夹在所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间；以及
所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之上的液晶层，
其中所述第一透明导电层是公共电极，
其中所述第二透明导电层是通过所述第二导电层与所述氧化物半导体层电连接的像素电极，并且
其中所述有机绝缘膜包括不与所述第二无机绝缘膜、所述第一透明导电层和所述第二透明导电层重叠且与所述第二导电层、所述第一无机绝缘膜和所述氧化物半导体层重叠的区域。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，
其中所述栅电极位于所述氧化物半导体层的下方，并且
其中所述区域与所述栅电极重叠。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层包含In-Ga-zn氧化物。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一无机绝缘膜与所述第二无机绝缘膜接触。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第二无机绝缘膜包含硅和氮。
13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述有机绝缘膜包含有机树脂。
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