[发明专利]蒸镀用UV前处理设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种蒸镀用UV前处理设备。

背景技术

在显示面板制备工艺中，存在对TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板的透明金属部分进行UV(紫外光)处理的工序，然而，TFT对UV处理较为敏感，即使TFT阵列基板中存在遮光层，经过UV处理后的基板电性依然会发生较大变化,但UV处理是蒸镀段不可缺少的前处理工艺。

综上所述，现有技术对TFT阵列基板进行UV处理时，会对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响，进而导致TFT阵列基板的品质降低，影响显示面板的显示效果。

发明内容

本发明提供一种蒸镀用UV前处理设备，能够吸收部分区域的UV光，进而避免UV光照射到TFT阵列基板的TFT器件，以解决UV光对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种蒸镀用UV前处理设备，包括：壳体，所述壳体内部具有固化腔室；所述壳体的一端设置有进料口，所述壳体的相对另一端设置有出料口；UV光源，设置于所述固化腔室内部；其中，所述固化腔室内壁设置有吸光层。

根据本发明一优选实施例，所述UV光源设置于所述固化腔室的顶面，所述吸光层设置于所述固化腔室的底面及四周。

根据本发明一优选实施例，所述固化腔室内设置有基台，所述基台设置于所述固化腔室的底面，所述基台上放置有TFT阵列基板。

根据本发明一优选实施例，所述TFT阵列基板包括：

玻璃基板；

遮光层图案，形成于所述玻璃基板表面；

缓冲层，制备于所述玻璃基板表面，且覆盖所述遮光层图案；

TFT器件，设置于所述缓冲层表面，且与所述遮光层图案相对应；

间绝缘层，制备于所述缓冲层表面，且覆盖所述TFT器件；

钝化层，制备于所述间绝缘层表面；

平坦化层，制备于所述钝化层表面；

阳极金属图案，制备于所述平坦化层表面；

其中，所述TFT阵列基板设置有阳极金属图案的一侧靠近所述UV光源。

根据本发明一优选实施例，所述固化腔室内设置有遮光板，所述遮光板平行于所述固化腔室底面，所述遮光板的四个端部对应贴合所述固化腔室的四周表面，所述遮光板包括遮光区和位于所述遮光区内的透光区，其中，所述透光区的第一长边的长度等于所述TFT阵列基板的第一长边的长度，所述透光区的第一短边的长度等于所述TFT阵列基板的第一短边的长度。

根据本发明一优选实施例，所述固化腔室的四周表面开设有滑槽，所述滑槽垂直于所述固化腔室底面表面，所述遮光板的边缘设置有匹配所述滑槽的固定件，所述固定件滑移连接所述滑槽。

根据本发明一优选实施例，所述遮光板的遮光区表面设置有所述吸光层。

根据本发明一优选实施例，所述遮光板的遮光区表面设置有可移动至所述透光区的延长板。

根据本发明一优选实施例，所述延长板的一端铰接于所述遮光板的遮光区边缘。

根据本发明一优选实施例，所述吸光层采用碳纳米管制备。

本发明的有益效果为：本发明提供的蒸镀用UV前处理设备，通过在蒸镀用UV前处理设备的腔室内壁设置吸光层，以吸收部分UV光，避免UV光通过腔室内壁反射到TFT阵列基板的TFT器件上，使得TFT器件免受UV光照射，保证TFT器件的电性不被影响；解决了现有技术对TFT阵列基板进行UV处理时，会对TFT阵列基板的TFT器件造成电性影响，进而导致TFT阵列基板的品质降低，影响显示面板的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的蒸镀用UV前处理设备结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。