[发明专利]蒸镀用UV前处理设备在审

专利信息
申请号: 201710927479.7 申请日: 2017-10-09
公开(公告)号: CN107761049A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 刘兆松;徐源竣;任章淳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/04;C23C14/24;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 蒸镀用 uv 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,包括:壳体,所述壳体内部具有固化腔室;所述壳体的一端设置有进料口,所述壳体的相对另一端设置有出料口;UV光源,设置于所述固化腔室内部;其中,所述固化腔室内壁设置有吸光层。

2.根据权利要求1所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述UV光源设置于所述固化腔室的顶面,所述吸光层设置于所述固化腔室的底面及四周。

3.根据权利要求2所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述固化腔室内设置有基台,所述基台设置于所述固化腔室的底面,所述基台上承载有待UV处理的TFT阵列基板。

4.根据权利要求3所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述TFT阵列基板包括:

玻璃基板;

遮光层图案,形成于所述玻璃基板表面;

缓冲层,制备于所述玻璃基板表面,且覆盖所述遮光层图案;

TFT器件,设置于所述缓冲层表面,且与所述遮光层图案相对应;

间绝缘层,制备于所述缓冲层表面,且覆盖所述TFT器件;

钝化层,制备于所述间绝缘层表面;

平坦化层,制备于所述钝化层表面;

阳极金属图案,制备于所述平坦化层表面;

其中,所述TFT阵列基板设置有阳极金属图案的一侧靠近所述UV光源。

5.根据权利要求3所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述固化腔室内设置有遮光板,所述遮光板平行于所述固化腔室底面,所述遮光板的四个端部对应贴合所述固化腔室的四周表面,所述遮光板包括遮光区和位于所述遮光区内的透光区,其中,所述透光区的第一长边的长度等于所述TFT阵列基板的第一长边的长度,所述透光区的第一短边的长度等于所述TFT阵列基板的第一短边的长度。

6.根据权利要求5所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述固化腔室的四周表面开设有滑槽,所述滑槽垂直于所述固化腔室底面表面,所述遮光板的边缘设置有匹配所述滑槽的固定件,所述固定件滑移连接所述滑槽。

7.根据权利要求5所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述遮光板的遮光区表面设置有所述吸光层。

8.根据权利要求5所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述遮光板的遮光区表面设置有可移动至所述透光区的延长板。

9.根据权利要求8所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述延长板的一端铰接于所述遮光板的遮光区边缘。

10.根据权利要求1-9任一项权利要求所述的蒸镀用UV前处理设备,其特征在于,所述吸光层采用碳纳米管制备。

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