[发明专利]一种肖特基器件的制备方法及结构在审
| 申请号： | 201710916405.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599443A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈茜;余俊良;杨月星 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基器件 栅氧层 导电材料 电极层 填满 去除 制备 高密度等离子 填充导电材料 肖特基金属层 正向导通电压 底部氧化层 金属引线层 芯片集成度 漏电 衬底表面 底部填充 沟槽侧壁 上部空间 沉积法 沟槽型 金属层 氧化层 衬底 光阻 减小 可控 浪涌 耐压 下凹 沉积 生长 保留 | ||
1.一种肖特基器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1在N型外延层衬底上形成沟槽；
S2采用高密度等离子体气相沉积法在所述沟槽底部填充一定厚度的底部氧化层，然后去除所述底部氧化层上方沟槽侧壁上的氧化层；
S3在所述沟槽内填满光阻，然后去除所述沟槽外的氧化层；
S4去除所述光阻，然后在暴露的所述沟槽侧壁上生长栅氧层，并于所述沟槽内填充导电材料；
S5去除所述沟槽上部的部分所述导电材料、上部侧壁上的栅氧层及所述沟槽外部的栅氧层，在所述沟槽中部保留栅氧层及导电材料；
S6在所述N型外延层衬底表面、所述沟槽上部的侧壁及暴露出的所述栅氧层和导电材料的表面沉积肖特基金属层；
S7在所述肖特金属层上形成电极层，并在所述电极层上形成金属引线层；所述电极层覆盖所述N型外延层衬底表面的肖特基金属层并下凹填满所述沟槽的上部空间。
2.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：所述沟槽的宽度为0.1-1.2μm，深度为0.5-6μm。
3.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：步骤S2采用高密度等离子体气相沉积氧化层之前，先在所述沟槽内形成一层牺牲氧化层，然后湿法腐蚀去除所述牺牲氧化层，再在所述沟槽内生长一层底层氧化层。
4.根据权利要求3所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：所述牺牲氧化层厚度为10-125nm。
5.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：采用湿法腐蚀去除步骤S2中所述底部氧化层上方沟槽侧壁上的氧化层、步骤S3中所述沟槽外部的氧化层、以及步骤S5中所述沟槽外部的栅氧层。
6.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：所述底部氧化层的厚度为200-500nm。
7.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：所述栅氧层的厚度为100-500nm。
8.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：所述导电材料为多晶硅或金属。
9.一种肖特基器件结构，其特征在于，包括：
N型外延层衬底；
沟槽，形成于所述N型外延层衬底上；
底部氧化层，形成于所述沟槽底部；
栅氧层，形成于所述沟槽中部侧壁上；
导电材料，填充于所述沟槽中部；
肖特基金属层，形成于所述N型外延层衬底表面及所述沟槽上部侧壁及所述栅氧层和所述导电材料的表面；
电极层，形成于所述肖特基金属层表面并填满所述沟槽上部；
以及金属引线层，形成于所述电极层上。
10.根据权利要求9所述的肖特基器件结构，其特征在于：所述沟槽的宽度为0.1-1.2μm，深度为0.5-6μm。
11.根据权利要求9所述的肖特基器件结构，其特征在于：所述底部氧化层的厚度为200-500nm。
12.根据权利要求9所述的肖特基器件结构，其特征在于：所述栅氧层的厚度为100-500nm。
13.根据权利要求9所述的肖特基器件结构，其特征在于：所述导电材料为多晶硅或金属。
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