[发明专利]一种钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法在审
| 申请号： | 201710915938.X | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107620125A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 崔坤;李勇;宋松;宋伟;温旭杰;朱卫俊;王祥邦;徐慧琴;施旭霞 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人： | 王晓峰 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂 铌酸锂 晶片 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法，特征在于：该方法包括以下步骤：
1）将锂化合物和硅油放入耐高温容器A中；
2) 将钽酸锂和铌酸锂晶片分放入耐高温容器B中；
3) 将步骤1）和步骤2）中耐高温容器A和耐高温容器B中置于黑化还原炉中，在真空条件下，升高炉温，保持高温4-12h；降温至室温，充气开炉门取出晶片。
2.根据权利要求1所述的钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法，其特征在于：所述步骤1）中锂化合物和硅油重量比为5:1-2:1。
3.根据权利要求1所述的钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法，其特征在于：所述步骤1）中锂化合物选自硅酸镁锂、碳酸锂或氯化锂。
4.根据权利要求1所述的钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法，其特征在于：所述步骤1）和步骤2）中中耐高温容器A和耐高温容器B各自独立地选自为石英片盒、刚玉坩埚或不锈钢组成的装片片盒。
5.根据权利要求5所述的钽钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法，其特征在于：所述步骤3）中真空条件为低于1000pa的真空环境。
6.根据权利要求1所述的钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法，其特征在于:所述步骤3）中在10-15h内，将炉温从室温升高至高温环境，所述高温环境为500-580℃。
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