[发明专利]一种二极管

说明书

技术领域

发明涉及二极管技术领域，具体为一种二极管

背景技术

二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

但是目前的二极管存在通流差，效率低，散热差，使用寿命短的问题。

发明内容

发明的目的在于提供一种二极管，以解决上述背景技术中提出的通流差，效率低，散热差，使用寿命短问题。

为实现上述目的，发明提供如下技术方案：一种二极管，包括外壳体、阳极引线、阴极引线、底座、金锑合金支撑架、PN结、铝合金小球、N型硅和散热片，所述外壳体内部设置有底座；所述底座上端固定连接有金锑合金支撑架；所述金锑合金支撑架下端固定连接有N型硅；所述N型硅上端固定连接有PN结；所述PN结上端固定连接有铝合金小球；所述铝合金小球上端固定连接有阳极引线；所述底座下端固定连接有散热片；所述底座下端固定连接有阴极引线。

优选的，所述PN结内部包括耗尽层、阻挡层和势垒区。

优选的，所述PN结为P-I-N结构。

优选的，所述n为掺杂浓度。

优选的，所述N-为底掺杂N区，所述N﹢为底掺杂P区。

优选的，所述PN结内部为横向导电结构。

与现有技术相比，发明的有益效果是：

1、该二极管，通过设置N型硅上端固定连接有PN结，并且PN结内部为横向导电结构，电流在金锑合金支撑架下端固定连接的N型硅内流动的总体方向是与硅片表面平行的，使得N型硅中通过电流的有效面积增大，二极管的通流能力比较佳。

2、该二极管，通过设置PN结内部包括耗尽层、阻挡层和势垒区，并且耗尽层、阻挡层和势垒区包括若干电子N和若干空穴P；若干N和若干P分别为N区和P区，PN结为P-I-N结构，掺杂浓度低，N¯底掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿，因此N¯底掺杂N区越厚，二极管能够承受的反向电压就越高，防止二极管被击穿，使用寿命比较长。

3、该二极管，通过设置N型硅上端固定连接的PN结，当P N型硅上端固定连接的PN结内部流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的N¯底掺杂N区的欧姆电阻，其阻值较高且为常量，因而管压降随正向电流的上升而增加，在PN结上流过的正向电流较大时，由N﹢为底掺杂P区注入并积累在N¯底掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体的电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，使得正向电流较大时压降仍然很低，不会产生电压过冲，在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，使得其开关损耗和正向导通损耗都比较小，二极管工作效率比较高。

4、该二极管，通过设置底座下端固定连接散热片，散热效果比较好。

附图说明

图1为发明的一种二极管结构示意图；

图2为发明的一种二极管的内部结构示意图；

图3为发明的一种二极管的PN结内部结构示意图；

图4为发明的一种二极管的内部断面结构示意图。

图中：10-外壳体；11-阳极引线；12-阴极引线；101-底座；102-金锑合金支撑架；103-PN结；104-铝合金小球；105-N型；106-散热片。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-4，发明提供一种二极管技术方案：包括外壳体10、阳极引线11、阴极引线12、底座101、金锑合金支撑架102、PN结103、铝合金小球104、N型硅105和散热片106，所述外壳体10内部设置有底座101；所述底座101上端固定连接有金锑合金支撑架102；所述金锑合金支撑架102下端固定连接有N型硅105；所述N型硅105上端固定连接有PN结103；所述PN结103上端固定连接有铝合金小球104；所述铝合金小球104上端固定连接有阳极引线11；所述底座101下端固定连接有散热片106；所述底座101下端固定连接有阴极引线12。