[发明专利]一种二极管

权利要求书

1.一种二极管，其特征在于：包括外壳体（10）、阳极引线（11）、阴极引线（12）、底座（101）、金锑合金支撑架（102）、PN结（103）、铝合金小球（104）、N型硅（105）和散热片（106），所述外壳体（10）内部设置有底座（101）；所述底座（101）上端固定连接有金锑合金支撑架（102）；所述金锑合金支撑架（102）下端固定连接有N型硅（105）；所述N型硅（105）上端固定连接有PN结（103）；所述PN结（103）上端固定连接有铝合金小球（104）；所述铝合金小球（104）上端固定连接有阳极引线（11）；所述底座（101）下端固定连接有散热片（106）；所述底座（101）下端固定连接有阴极引线（12）。

2.如权利要求1所述的一种二极管，其特征在于：所述PN结（103）内部包括耗尽层、阻挡层和势垒区。

3.如权利要求1所述的一种二极管，其特征在于：所述PN结为P-I-N结构。

4.如权利要求1所述的一种二极管，其特征在于：所述n为掺杂浓度。

5.如权利要求1-4所述的一种二极管，其特征在于：所述N-为底掺杂N区，所述N﹢为底掺杂P区。

6.如权利要求1-5所述的一种二极管，其特征在于：所述PN结（103）内部为横向导电结构。

7.一种二极管的使用方法，其特征在于：该二极管，通过设置N型硅105上端固定连接有PN结103，并且PN结103内部为横向导电结构，电流在金锑合金支撑架102下端固定连接的N型硅105内流动的总体方向是与硅片表面平行的，使得N型硅105中通过电流的有效面积增大，二极管的通流能力比较佳；该二极管，通过设置PN结103内部包括耗尽层、阻挡层和势垒区，并且耗尽层、阻挡层和势垒区包括若干电子N和若干空穴P；若干N和若干P分别为N区和P区，PN结为P-I-N结构，掺杂浓度低，N¯底掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿，因此N¯底掺杂N区越厚，二极管能够承受的反向电压就越高，防止二极管被击穿，使用寿命比较长；该二极管，通过设置N型硅105上端固定连接的PN结103，当P N型硅105上端固定连接的PN结103内部流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的N¯底掺杂N区的欧姆电阻，其阻值较高且为常量，因而管压降随正向电流的上升而增加，在PN结103上流过的正向电流较大时，由N﹢为底掺杂P区注入并积累在N¯底掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体的电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，使得正向电流较大时压降仍然很低，不会产生电压过冲，在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，使得其开关损耗和正向导通损耗都比较小，二极管效率比较高；该二极管，通过设置底座101下端固定连接散热片106，散热效果比较好。