[发明专利]基板处理装置

说明书

一种基板处理装置。该基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)、向这些处理空间(S1、S2)导入处理气体的两个气体导入构件(12a、12b)、将处理空间(S1、S2)内的气体统一排出的排气机构(14)以及利用压力计(91a、91b)选择性地监视两个处理空间(S1、S2)中的某一个处理空间的压力的压力测量部(15)。压力测量部(15)具有连通于处理空间(S1、S2)的压力测量用配管(92a、92b)、为了调整监视侧的处理空间和非监视侧的处理空间中所连通的配管的容积之差而设置的虚设配管(95a、95b)以及用于将这些配管打开和关闭的阀(94a、94b、97a、97b)。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置。

背景技术

在半导体设备的制造中，对作为被处理基板的半导体晶圆(以下仅记载为晶圆)进行蚀刻处理、成膜处理等利用气体进行的处理。

以往，作为这种基板处理，大多使用一片一片地处理基板的单片式的处理装置，但基于提高生产率的观点，提出了如下一种基板处理装置：在一个腔室内配置多个被处理基板，一次对多片被处理基板实施规定的处理(例如，专利文献1)。

专利文献1中公开的基板处理装置在一个腔室内形成多个处理空间，在设置于各处理空间的基板载置台上载置被处理基板，向各处理空间独立地供给处理气体来进行处理，利用一个排气装置统一进行腔室内的排气。

在各处理空间内设置有作为压力计的电容压力计(capacitance manomete r)，利用电容压力计监视各处理空间的压力。

专利文献1：日本特开2016-029700号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在各处理空间内设置有作为压力计的电容压力计的情况下，由于电容压力计的偏差而产生误差，难以确认准确的压力。

因此，想到以下办法：设置一个作为压力计的电容压力计，在进行压力的测量时，能够通过对从电容压力计连接于各处理空间的压力测定用配管的阀进行切换来监视多个处理空间的压力，但在该情况下，在监视压力的监视侧的处理空间与没有监视压力的非监视侧的处理空间中，电容压力计的压力测定用配管的容积不同，配管中残留的气体对工序造成的影响产生了差异。

因而，本发明的课题在于提供如下一种技术：在多个处理空间中对多个被处理基板进行处理的基板处理装置中，在用一个压力计监视多个处理空间的压力的情况下，能够在监视侧的处理空间与非监视侧的处理空间之间减轻配管中的残留气体对工序造成的影响。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明的第一观点提供如下一种基板处理装置，该基板处理装置的特征在于，具备：多个处理部，该多个处理部分别对被处理基板实施基板处理；多个基板载置台，各基板载置台在各所述处理部中载置被处理基板；多个气体导入构件，该多个气体导入构件向各所述处理部的处理空间分别导入处理气体；共用的排气机构，其将所述多个处理部的多个所述处理空间内的气体统一排出，并且统一进行所述处理空间的压力控制；以及压力测量部，其利用压力计选择性地监视多个所述处理空间的某一处理空间的压力，其中，所述压力测量部具有：多个压力测量用配管，该多个压力测量用配管与多个处理空间连通；阀，其用于对所述多个压力测量用配管进行切换；以及虚设配管，其被设置为调整连通于所述多个处理空间中的要监视压力的监视侧的处理空间的配管的容积与连通于所述多个处理空间中的不监视压力的非监视侧的处理空间的配管的容积之差。