[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 201710914624.8 | 申请日: | 2017-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN107887303B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
| 发明(设计)人: | 绿川洋平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
多个处理部,该多个处理部分别对被处理基板实施基板处理;多个基板载置台,各基板载置台在各所述处理部中载置被处理基板;
多个气体导入构件,该多个气体导入构件向各所述处理部的处理空间分别导入处理气体;
共用的排气机构,其将所述多个处理部的多个所述处理空间内的气体统一排出,并且统一进行所述处理空间的压力控制;以及
压力测量部,其利用压力计选择性地监视多个所述处理空间的某一处理空间的压力,
其中,所述压力测量部具有:多个压力测量用配管,该多个压力测量用配管与多个处理空间连通;阀,其用于对所述多个压力测量用配管进行切换;以及虚设配管,其被设置为调整连通于所述多个处理空间中的要监视压力的监视侧的处理空间的配管的容积与连通于所述多个处理空间中的不监视压力的非监视侧的处理空间的配管的容积之差。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在将所述处理部的个数设为n的情况下,对各所述处理空间连通一根所述压力测量用配管和n-1根所述虚设配管,在各所述压力测量用配管和各所述虚设配管中设置有阀,对于所述监视侧的处理空间,打开所述压力测量用配管的阀以使该处理空间与所述压力计连通,并且关闭所述虚设配管的阀,对于所述非监视侧的处理空间,打开某一个所述虚设配管的阀以使该处理空间与某一个所述虚设配管连通。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压力测量用配管和所述虚设配管的总数以及在这些配管中设置的阀的总数是所述处理部的个数的平方。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述虚设配管被设置为,使连通于所述监视侧的处理空间的配管的容积与连通于所述非监视侧的处理空间的配管的容积相同。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述虚设配管被设置为,使连通于所述监视侧的处理空间的配管路径的传导性与连通于所述非监视侧的处理空间的配管路径的传导性相同。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
在各所述处理空间中,所述虚设配管连接于所述压力测量用配管。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压力测量用配管从各所述处理部的所述气体导入构件的上方被插入到气体导入构件的中心。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压力测量用配管的连通于所述处理空间的出口被设置为以所述气体导入构件的中心作为中心来形成圆状或同心圆状。
9.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压力测量用配管的连通于所述处理空间的出口被设置为以所述处理空间的中心作为中心在任意的半径位置来形成圆状或同心圆状。
10.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
在各所述处理空间中,所述气体导入构件形成多个与所述压力测量用配管对应的出口,对多个所述出口中的要利用从连通于所述处理空间的配管流出的残留气体进行期望的基板处理控制的出口连接所述压力测量用配管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





