[发明专利]半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一层间电介质膜；

在所述第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，所述第一布线和所述第二布线在不同于所述第一方向的第二方向上彼此相邻；

在所述第一层间电介质膜上的硬掩模图案，所述硬掩模图案包括开口；以及

在所述第一层间电介质膜内的气隙，所述气隙在所述第一方向上包括与所述开口垂直交叠的第一部分和不与所述开口交叠的第二部分，并且所述开口暴露所述第一布线和所述第二布线的至少一部分。

2.根据权利要求1中所述的半导体器件，其中所述气隙的所述第二部分在所述气隙的所述第一部分的相反侧。

3.根据权利要求1中所述的半导体器件，还包括在所述第一层间电介质膜内的凹陷，所述气隙的至少一部分在所述凹陷内，并且所述硬掩模图案包括从所述凹陷的最上部比所述凹陷的侧壁横向凸出得更远的凸起部分。

4.根据权利要求3中所述的半导体器件，还包括在所述硬掩模图案上的第二层间电介质膜，所述第二层间电介质膜交叠所述开口。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括沿着所述凹陷的轮廓以及沿着所述硬掩模图案的所述凸起部分的轮廓延伸的气隙衬垫。

6.根据权利要求1中所述的半导体器件，其中，所述气隙在所述第一层间电介质膜内、在所述第一布线与所述第二布线之间，所述气隙在所述第一方向上的宽度大于所述开口在所述第一方向上的宽度。

7.根据权利要求6中所述的半导体器件，还包括在所述第一层间电介质膜内的凹陷，所述气隙的至少一部分在所述凹陷中，

其中所述凹陷包括与所述开口垂直交叠的第一部分和不与所述开口交叠的第二部分，并且所述凹陷的所述第二部分在所述凹陷的所述第一部分的相反侧。

8.根据权利要求7中所述的半导体器件，其中所述凹陷的所述第二部分在所述第一方向上的宽度小于或等于所述凹陷的深度。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一层间电介质膜；

在所述第一层间电介质膜内在第一方向上分别延伸的第一布线和第二布线，所述第一布线和所述第二布线在不同于所述第一方向的第二方向上彼此相邻；

在所述第一层间电介质膜内在所述第一布线与所述第二布线之间的第一凹陷，所述第一凹陷包括由所述第一布线和所述第二布线限定的侧壁；以及

在所述第一层间电介质膜上的第一硬掩模图案，所述第一硬掩模图案包括与所述第一凹陷的一部分、所述第一布线的一部分和所述第二布线的一部分交叠的第一开口，

其中所述第一凹陷在所述第一方向上的宽度大于所述第一开口在所述第一方向上的宽度，并且所述第一开口暴露所述第一布线和所述第二布线的至少一部分。

10.根据权利要求9中所述的半导体器件，其中所述第一凹陷包括与所述第一开口垂直交叠的第一部分和不与所述第一开口交叠的第二部分，所述第一凹陷的所述第二部分在所述第一凹陷的所述第一部分在所述第一方向上的相反侧。

11.根据权利要求9中所述的半导体器件，还包括在所述第一凹陷内的气隙。

12.根据权利要求11中所述的半导体器件，其中所述气隙的一部分不与所述第一开口交叠。

13.根据权利要求11中所述的半导体器件，还包括在所述第一硬掩模图案上的气隙衬垫，所述气隙衬垫沿着所述第一凹陷的轮廓延伸，并且所述气隙的至少一部分由所述气隙衬垫围绕。