[发明专利]导热绝缘板及其制备方法和电子元器件

权利要求书

1.一种导热绝缘板，其特征在于，该导热绝缘板包括：金属基板(1)，在金属基板(1)上形成的依次层叠的氧化物层(2)和含有二氧化硅的涂层(3)，所述含有二氧化硅的涂层(3)通过在氧化物层(2)上涂布全氢聚硅氮烷溶液，然后进行固化得到；

所述含有二氧化硅的涂层(3)含有二氧化硅和可选的无机物，所述无机物选自氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化硼、氮化铝、氮化硅和碳化硅中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的导热绝缘板，其中，所述含有二氧化硅的涂层(3)的厚度为100nm-100μm。

3.根据权利要求2所述的导热绝缘板，其中，所述含有二氧化硅的涂层(3)的厚度为300nm-50μm。

4.根据权利要求1所述的导热绝缘板，其中，所述金属基板(1)选自铝板、铝合金板、铜板、铜合金板、钢板、不锈钢板或锌板。

5.根据权利要求1或4所述的导热绝缘板，其中，所述金属基板(1)的厚度为500μm-2mm。

6.根据权利要求1所述的导热绝缘板，其中，所述氧化物层(2)含有氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化铁、氧化铜、氧化锰、氧化铬、氧化锌和氧化钛中的一种或多种。

7.根据权利要求1或6所述的导热绝缘板，其中，所述氧化物层(2)的厚度为500nm-100μm。

8.权利要求1-7中任意一项所述的导热绝缘板的制备方法，其中，该方法包括以下步骤：

(A)在金属基板(1)上形成氧化物层(2)；

(B)在氧化物层(2)上涂布全氢聚硅氮烷溶液，然后进行固化，形成含有二氧化硅的涂层(3)；

在步骤(B)中，所述全氢聚硅氮烷溶液包括全氢聚硅氮烷、溶剂、引发剂，以及可选的聚二甲基硅氧烷和/或无机物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在步骤(A)中，所述形成氧化物层(2)的方法选自阳极氧化法、微弧氧化法、热水氧化法、溶胶凝胶法、酸浸钝化法和碱浸钝化法中的一种。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述溶剂为正丁醚和/或二氯甲烷。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述引发剂为N-正丁基-N-甲基乙醇胺、甲基乙醇胺、N-丁基二乙醇胺、乙醇胺或二乙醇胺。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述无机物选自纳米氧化铝、纳米氧化硅、纳米氧化镁、纳米氧化锌、纳米氮化硼、纳米氮化铝、纳米氮化硅和纳米碳化硅中的一种或多种。

13.根据权利要求8-12中任意一项所述的方法，其中，所述全氢聚硅氮烷、溶剂、引发剂、聚二甲基硅氧烷和无机物的投料重量比为0.8：(1-5)：(0.1-2)：(0-6)：(0-4)。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述全氢聚硅氮烷、溶剂、引发剂、聚二甲基硅氧烷和无机物的投料重量比为0.8：(1-3)：(0.1-1)：(0-4)：(0-4)。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，在步骤(B)中，所述涂布的方法选自旋涂法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、喷墨打印法、刮刀涂布法、辊式涂布法、坡流涂布法和落帘涂布法中的一种。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述涂布的方法为坡流涂布法或落帘涂布法。

17.根据权利要求8所述的方法，其中，所述固化方法为紫外辐照固化法或水汽固化法。