[发明专利]一种基于LTPS的显示面板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种基于LTPS的显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区的膜层结构包括基板，依次形成在所述基板上的缓冲层、多晶硅层、第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层，或者依次形成在所述基板上的金属遮光层、第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层，所述多晶硅层或所述遮光层设置有供辨认身份的二维码，所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的凹槽。该显示面板通过将相对应于二维码位置的有机平坦层设置凹槽，从而可在显示器件的制备过程中，提高ID读取成功率，降低工艺过程中混片或后段制程无法追踪的风险。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种基于LTPS的显示面板及其制备方法。

背景技术

目前，在LCD(Liquid crystal display，液晶显示屏)和AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，主动矩阵有机发光二极体面板)制作过程中，为防止工艺过程中混片的风险或者后段制程无法追踪的风险，业内一般会在非透明层(金属层或多晶硅层)上用激光打上ID，并在后续制程中通过设备读取ID而进行身份辨认。然而，在二维码上方进一步设置其他功能层后，由于某些功能层光透过率较低，因此ID读取成功率降低，这样对制程中读取ID的设备要求更高，例如光源位置，光源种类等。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供了一种基于LTPS的显示面板，其在制备过程中，可提高ID读取成功率，降低工艺过程中混片或后段制程无法追踪的风险。

第一方面，本发明实施例提供了一种基于LTPS的显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区的膜层结构包括基板，依次形成在所述基板上的缓冲层、多晶硅层、第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层，或者依次形成在所述基板上的金属遮光层、第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层，所述多晶硅层或所述遮光层设置有供辨认身份的二维码，所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的凹槽。

其中，所述凹槽同时贯穿所述第一介电层或第二介电层。

所述凹槽的截面为倒置梯形。

当所述显示面板包括OLED结构时，所述基板为硬质基板或柔性基板，当所述显示面板包括LCD结构时，所述基板为硬质基板。

所述第二有机平坦层上进一步设置有保护层，所述保护层覆盖所述第二有机平坦层以及所述凹槽内表面。

本发明实施例提供的基于LTPS的显示面板，其通过将相对应于二维码位置的有机平坦层设置凹槽，从而在器件的制备过程中，有利于读取设备发出的光更多地透过到二维码，提高ID读取成功率，降低工艺过程中混片或后段制程无法追踪的风险。

第二方面，本发明还提供了一种基于LTPS的显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层和多晶硅层，采用激光使所述多晶硅层形成供辨认身份的二维码；

在所述缓冲层和所述多晶硅层上形成依次层叠设置的第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层；

采用黄光工艺将所述第一有机平坦层与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第一有机平坦层的凹槽；

再在所述第一有机平坦层上制备OLED结构，即得到基于LTPS的显示面板。

本发明中，所述的显示面板的制备方法，进一步包括通过刻蚀工艺将所述第一介电层与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿第一所述有机平坦层和所述第一介电层的凹槽。

以及，本发明实施例还提供了一种基于LTPS的显示面板的制备方法，包括以下步骤：