[发明专利]一种基于LTPS的显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种基于LTPS的显示面板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述非显示区的膜层结构包括基板，依次形成在所述基板上的缓冲层、多晶硅层、第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层，或者依次形成在所述基板上的金属遮光层、第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层，所述多晶硅层或所述遮光层设置有供辨认身份的二维码，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述多晶硅层，所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述金属遮光层，所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的凹槽。

2.如权利要求1所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，所述凹槽同时贯穿所述第一介电层或第二介电层。

3.如权利要求1或2所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，所述凹槽的截面为倒置梯形。

4.如权利要求1所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，当所述显示面板包括OLED结构时，所述基板为硬质基板或柔性基板，当所述显示面板包括LCD结构时，所述基板为硬质基板。

5.如权利要求1或2所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，所述第二有机平坦层上进一步设置有保护层，所述保护层覆盖所述第二有机平坦层以及所述凹槽内表面。

6.一种基于LTPS的显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层和多晶硅层，采用激光使所述多晶硅层形成供辨认身份的二维码；

在所述缓冲层和所述多晶硅层上形成依次层叠设置的第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层；所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述多晶硅层；

采用黄光工艺将所述第一有机平坦层与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第一有机平坦层的凹槽；

再在所述第一有机平坦层上制备OLED结构，即得到基于LTPS的显示面板。

7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，进一步包括通过刻蚀工艺将所述第一介电层与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿第一所述有机平坦层和所述第一介电层的凹槽。

8.一种基于LTPS的显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上形成金属遮光层，采用激光使所述金属遮光层形成供辨认身份的二维码；

在所述基板和所述金属遮光层上形成依次层叠设置的第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层；所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述金属遮光层；

采用黄光工艺将所述第二有机平坦层与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第二有机平坦层的凹槽；

再在所述第二有机平坦层上制备LCD结构，即得到基于LTPS的显示面板。

9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，进一步包括通过刻蚀工艺将所述第二介电层与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿所述第二有机平坦层和所述第二介电层的凹槽。

10.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，进一步包括在所述第二有机平坦层上形成覆盖所述第二有机平坦层以及所述凹槽内表面的保护层。