[发明专利]一种晶闸管高位取能触发电路

说明书

技术领域

本发明涉及电路技术领域，特别涉及一种晶闸管高位取能触发电路。

背景技术

极低频对潜通信是利用极低频无线电波进行远距离、大深度信号传输的一种通信方式。由于极低频对潜通信系统所使用的天线辐射效率较低，当进行远距离、大深度通信时，发信机需要几兆瓦的功率输出。

极低频对潜通信系统采用三相整流电源作为发信机的电源，三相整流电源包括应用将三相交流电变为直流电的三相可控整流电路，三相可控整流电路通过控制触发角a的大小来控制输出电压大小，三相可控整流电路包括晶闸管、触发电路、高位取能电路和RC吸收回路。触发电路通过在晶闸管门极G2和阴极K2之间施加正向电压控制晶闸管的导通，实现晶闸管的可控整流，触发电路的电源通过高位取能电路从晶闸管阳极取得，RC吸收回路通过在晶闸管上并联吸收电容，依靠吸收电容两端电压不能突变来限制电压上升率，这样既避免使用高耐压变压器所带来的高成本，又实现了电气隔离，避免了触发信号受到干扰，确保晶闸管的安全。

目前，高位取能电路包括储能电容、开关电路和与开关电路连接的控制电路，开关电路包括至少两个串联的开关，控制电路控制开关的导通来向储能电容充电。

晶闸管的高位取能电路设计较为复杂，且高位取能电路从晶闸管阳极取能，无法触发大容量晶闸管，从而导致无法应用于极低频对潜通信领域。

发明内容

为了解决现有技术中晶闸管的高位取能电路设计较为复杂，且高位取能电路从晶闸管阳极取能，无法触发大容量晶闸管，从而导致无法应用于极低频对潜通信领域的问题，本发明实施例提供了一种晶闸管高位取能触发电路。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种晶闸管高位取能触发电路，所述晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路、触发电路和光纤收模块；

所述高位取能电路用于从RC吸收回路的吸收电容上获取电信号，并采用获取到的电信号给所述触发电路和所述光纤收模块供电；

所述光纤收模块用于将接收到的激励光信号转化为电信号，并将转化得到的电信号传输至所述触发电路；

所述触发电路用于根据所述光纤收模块传输的电信号产生驱动信号，并采用所述驱动信号触发晶闸管。

其中，所述高位取能电路的输入端包括两个输入端子，所述高位取能电路的两个输入端子与所述RC吸收回路上的吸收电容并联，所述高位取能电路还包括二极管D1、稳压二极管V1、电阻R1、电容C1、电阻R2、晶闸管T1、整流二极管D2、电感L1、电解电容C3、电解电容C4和电感L2，所述二极管D1连接在所述高位取能电路的两个输入端子之间，所述二极管D1的正极与插座J1的端子HK2电连接，所述二极管D1的负极与所述插座J1的端子HK1电连接，所述稳压二极管V1的负极与所述二极管D1的负极电连接，所述稳压二极管V1的正极与所述电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的正极电连接，所述电容C1与所述电阻R1并联，所述电阻R2的一端连接在所述稳压二极管V1的正极和所述电阻R1之间，所述电阻R2的另一端与所述晶闸管T1的门极电连接，所述晶闸管T1的阳极与二所述极管D1的负极电连接，所述晶闸管T1的阴极与所述二极管D1的正极电连接，所述整流二极管D2的正极与所述二极管D1的负极电连接，所述整流二极管D2的负极与所述电感L1的一端电连接，所述电感L1的另一端与所述电解电容C3的正极电连接，所述电解电容C3的负极与所述二极管D1的正极电连接，所述电感L2的一端连接在所述整流二极管D2的负极和所述电感L1之间，所述电感L2的另一端与所述电解电容C4的正极电连接，所述电解电容C4的负极与所述电解电容C3的负极电连接。