[发明专利]一种晶闸管高位取能触发电路

权利要求书

1.一种晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路、触发电路和光纤收模块；

所述高位取能电路用于从RC吸收回路的吸收电容上获取电信号，并采用获取到的电信号给所述触发电路和所述光纤收模块供电；

所述光纤收模块用于将接收到的激励光信号转化为电信号，并将转化得到的电信号传输至所述触发电路；

所述触发电路用于根据所述光纤收模块传输的电信号产生驱动信号，并采用所述驱动信号触发晶闸管。

2.根据权利要求1所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述高位取能电路的输入端包括两个输入端子，所述高位取能电路的两个输入端子与所述RC吸收回路上的吸收电容并联，所述高位取能电路还包括二极管D1、稳压二极管V1、电阻R1、电容C1、电阻R2、晶闸管T1、整流二极管D2、电感L1、电解电容C3、电解电容C4和电感L2，所述二极管D1连接在所述高位取能电路的两个输入端子之间，所述二极管D1的正极与插座J1的端子HK2电连接，所述二极管D1的负极与所述插座J1的端子HK1电连接，所述稳压二极管V1的负极与所述二极管D1的负极电连接，所述稳压二极管V1的正极与所述电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的正极电连接，所述电容C1与所述电阻R1并联，所述电阻R2的一端连接在所述稳压二极管V1的正极和所述电阻R1之间，所述电阻R2的另一端与所述晶闸管T1的门极电连接，所述晶闸管T1的阳极与二所述极管D1的负极电连接，所述晶闸管T1的阴极与所述二极管D1的正极电连接，所述整流二极管D2的正极与所述二极管D1的负极电连接，所述整流二极管D2的负极与所述电感L1的一端电连接，所述电感L1的另一端与所述电解电容C3的正极电连接，所述电解电容C3的负极与所述二极管D1的正极电连接，所述电感L2的一端连接在所述整流二极管D2的负极和所述电感L1之间，所述电感L2的另一端与所述电解电容C4的正极电连接，所述电解电容C4的负极与所述电解电容C3的负极电连接。

3.根据权利要求2所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述触发电路包括电阻R8、电解电容CD、电容C5、稳压二极管V3、电阻R4、三极管T2、电容C2、三极管T3、二极管D5、电阻R6、电阻R23、三极管VT1、并联电阻R27和2R27、二极管V2、三极管VT2、二极管D4、电阻R24、二极管D3及二极管D4，所述电阻R8的一端与所述电解电容C3的正极电连接，所述电阻R8的另一端与所述电解电容CD的正极电连接，所述电解电容CD的负极与晶闸管的阴极K2以及所述插座J1的端子HK2相连电连接，所述电容C5并联在所述电解电容CD的两端，所述电解电容CD的正极与所述光纤收模块的电源正极以及所述稳压二极管V3的正极电连接，所述稳压二极管V3的负极与所述晶闸管的阴极K2电连接，所述电阻R4的一端与所述稳压二极管V3的正极电连接，所述电阻R4的另一端与所述三极管T2的集电极电连接，所述三极管T2的基极与所述光纤收模块的信号端电连接，所述电容C2并联在所述光纤收模块的信号端和接地端之间，所述三极管T2的发射极与所述插座J1的端子HK2电连接，所述三极管T3的基极与所述电阻R4的另一端电连接，所述三极管T3的发射极与所述二极管D5的正极电连接，所述二极管D5的负极与所述插座J1的端子HK2电连接，所述三极管T3的集电极与所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R6的另一端与所述电阻R23的一端电连接，所述稳压二极管V2的正极和所述三极管VT1的基极电连接，所述电阻R23的另一端与所述二极管V2的负极以及所述电解电容C4的正极电连接，所述并联电阻R27和2R27电连接在所述电解电容C4的正极和所述三极管VT1的发射极之间，所述三极管VT1的集电极同时与所述三极管VT2的基极、所述二极管D4的负极和所述电阻R24的一端电连接，所述三极管VT2的集电极与所述三极管VT1的发射极电连接，所述三极管VT2的发射极与所述二极管D3的正极以及所述二极管D4的正极电连接，所述二极管D3的负极与所述晶闸管的基极G2电连接。

4.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述三极管VT1为PNP型三极管，所述三极管VT2、所述三极管T2和所述三极管T3均为NPN型三极管。

5.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述二极管D1为MUR16100E型二极管。