[发明专利]基准电流产生电路中的内部电源产生电路

说明书

本发明公开了一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，包括由第一和二条件路径形成的正温度系数电流产生电路和第一和二电流源，第一PMOS管，第一和二NMOS管；第一PMOS管的栅极连接正温度系数电流产生电路提供的具有正温度系数的参考电压，第一NMOS管和第一PMOS管的源极连接，第一NMOS管的栅极和漏极和第二NMOS管的栅极连接在第一节点；第一PMOS管的漏极为第二节点；第一节点和第二节点串联在第一电流源和第一条路径之间或者在第二电流源和第二条路径之间；第二NMOS管的漏极连接电源电压，第二NMOS管的源极输出内部电源。本发明能节约电流路径以及能同时提高内部电源的温度特性。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路。

背景技术

在如1.8V～5.5V的高压模拟电路中经常使用内部电源或数字电源来为基本数字电路提供驱动以降低电源电压影响或动态功耗或时序偏差。

内部电源产生方法分为闭环(反馈)和开环方法。其中开环方法实现比较简单，应用广泛。传统开环内部电源产生电路使用两路电流支路就可以实现，内部电源产生电路的两路电流支路通常和基准电流产生电路的两路电流支路集成在一起。如图1所示，是现有基准电流产生电路中的内部电源产生电路的电路图；NMOS管N101和N102都工作于亚阈值区，且NMOS管N102的沟道的宽长比大于NMOS管N101的沟道的宽长比；这样NMOS管N102的源极电压VR101为NMOS管N101和N102的栅源电压差即V_gsN101-V_gsN102,V_gsN101表示NMOS管N101的栅源电压，V_gsN102表示NMOS管N102的栅源电压。电流源IP101和IP102呈镜像电流结构，电流的大小由VR101除以电阻R101确定；由于NMOS管N101和N102都工作于亚阈值区，故二者的栅源电压差即VR101呈正的温度系数。基准电流产生电路的输出端还会形成负的温度系数的结构来和VR101的正温度系数抵消，基准电流产生电路的输出端结构和本发明的内部电源产生电路无关，这里不再详细描述。

图1中的内部电源产生电路包括NMOS管N103、N104、N105和N106以及PMOS管P101，内部电源产生电路的电流源IP103和电流源IP101和IP102呈镜像电流结构。由NMOS管N106的源极输出内部电源VPWRI。

由图1所示可知：

VPWRI＝V_gsN103+|V_gsP101|+V_gsN104-V_gsN106-------------------(1)；

其中，V_gsN103表示NMOS管N103的栅源电压，V_gsN104表示NMOS管N104的栅源电压V_gsN106表示NMOS管N106的栅源电压；V_gsP101表示PMOS管P101的栅源电压，PMOS管P101的源极电压大于栅极电压，故V_gsP101为负数。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，能节约电流路径以及能同时提高内部电源的温度特性。

为解决上述技术问题，本发明提供的基准电流产生电路中的内部电源产生电路中基准电流产生电路包括由第一条路径和第二条件路径形成的正温度系数电流产生电路和呈镜像关系的第一电流源和第二电流源；正温度系数电流的大小为所述正温度系数电流产生电路形成的具有正温度系数的参考电压除以第一电阻。