[发明专利]基准电流产生电路中的内部电源产生电路

权利要求书

1.一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：基准电流产生电路包括由第一条路径和第二条件路径形成的正温度系数电流产生电路和呈镜像关系的第一电流源和第二电流源；正温度系数电流的大小为所述正温度系数电流产生电路形成的具有正温度系数的参考电压除以第一电阻；

内部电源产生电路包括第一PMOS管，第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接参考电压，所述第一NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的源极，所述第一NMOS管的栅极和漏极以及所述第二NMOS管的栅极连接在一起并令连接点为第一节点；令所述第一PMOS管的漏极为第二节点；

所述第一节点连接所述第一电流源的输出节点，所述第二节点连接所述第一条路径的输出节点，所述第二条路径的输出节点连接所述第二电流源的输出节点；或者，所述第一节点连接所述第二电流源的输出节点，所述第二节点连接所述第二条路径的输出节点，所述第一条路径的输出节点连接所述第一电流源的输出节点；

所述第二NMOS管的漏极连接电源电压，所述第二NMOS管的源极输出内部电源；

所述第一条路径包括第三NMOS管，所述第二条路径包括第四NMOS管和所述第一电阻；

所述第三NMOS管的漏极和栅极连接所述第四NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的源极通过所述第一电阻接地；所述第三NMOS管的漏极为所述第一条路径的输出节点，所述第四NMOS管的漏极为所述第二条路径的输出节点；所述第四NMOS管的源极输出所述参考电压。

2.如权利要求1所述的基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：所述内部电源产生电路还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的栅极连接偏置电压，所述第五NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极。

3.如权利要求2所述的基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：所述偏置电压由所述正温度系数电流产生电路提供。

4.如权利要求1所述的基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：所述内部电源产生电路还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极。

5.如权利要求1所述的基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：所述第一电流源包括第二PMOS管；所述第二PMOS管的源极接电源电压，所述第二PMOS管的漏极作为所述第一电流源的输出节点；

所述第二电流源包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三PMOS管的漏极作为所述第二电流源的输出节点；

所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极连接。

6.如权利要求1所述的基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：所述第四NMOS管的沟道的宽长比大于所述第三NMOS管的沟道的宽长比。

7.如权利要求2或6所述的基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：所述第三NMOS管和所述第四NMOS管都工作于亚阈值区。