[发明专利]OLED显示器的制作方法及OLED显示器有效
申请号: | 201710901860.6 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107623021B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示器 制作方法 | ||
本发明提供一种OLED显示器的制作方法及OLED显示器。该OLED显示器的制作方法在制作OLED发光层之前,在TFT基板的多个像素区域内分别打印溶液态的导电材料并对其进行干燥去除其中的溶剂,从而得到表面平坦的导电层,由导电层及TFT基板上的像素电极共同作为阳极结构,而后在TFT基板的多个像素区域内分别打印溶液态的OLED发光材料并对其进行干燥形成位于导电层上的OLED发光层,由于导电层表面平坦,位于导电层上通过打印制得的OLED发光层膜厚均匀,使制得的OLED显示器发光均匀,有效地提升了OLED显示器的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示器的制作方法及OLED显示器。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴注入层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
现有技术中,常通过蒸镀的方式在TFT基板的像素区域沉积OLED发光材料形成OLED器件的发光层,由于蒸镀制程的特点,使OLED发光材料的利用率很低,产品成本难以降低,同时由于蒸镀掩膜板(Mask)的尺寸和精度的显示,在大尺寸高解析的OLED显示器中应用蒸镀的方式形成OLED发光材料较为困难。而采用打印(Ink-jet Print)的方式制作OLED发光层的技术也相应诞生,其具体为通过高精度的打印机将溶液状态的OLED发光材料滴到TFT基板的像素区域,将OLED发光材料干燥后形成OLED发光层,此种方式OLED发光材料的利用率很高,可降低产品成本,但由于该种方式下OLED发光材料初始时为溶液态,在滴到TFT基板的像素区域后,对像素区域的平坦性要求很高,若像素区域不平坦,会造成OLED发光材料干燥形成的OLED发光层厚度不均匀,从而导致发光效率不均匀产生亮度不均(Mura)。
请参阅图1,现有的一种OLED显示器的制作过程中,在制作TFT基板100’时,在TFT阵列层110’上制作像素电极130’之前涂布整面的平坦化材料,形成平坦化层120’,将像素电极130’形成在平坦化层120’上,而后在TFT基板100’上形成像素定义层200’,该像素定义层200’上设有多个暴露像素电极130’的通孔210’,所述多个通孔210’在TFT基板100’上分别限定出多个像素区域101’,而后在多个像素区域101’内滴注OLED发光材料并进行干燥,得到位于多个像素区域101’的OLED发光层300’,该平坦化层120’的设置是为了改善因像素区域101’不平坦导致的OLED发光层300’厚度不均匀,然而基于TFT基板100’本身的电路走线和开口要求,平坦化层120’对像素区域101’平坦性的改善十分有限,仍旧会产生OLED发光层300’厚度不均匀导致的亮度不均的问题。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的