[发明专利]OLED显示器的制作方法及OLED显示器有效
申请号: | 201710901860.6 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107623021B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示器 制作方法 | ||
1.一种OLED显示器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供TFT基板(100),在所述TFT基板(100)上形成像素定义层(200);
所述像素定义层(200)上设有多个通孔(210);所述多个通孔(210)在TFT基板(100)上限定出多个像素区域(101);
步骤S2、在TFT基板(100)的多个像素区域(101)内分别打印溶液态的导电材料,对溶液态的导电材料进行干燥,形成覆盖像素区域(101)的导电层(300),该导电层(300)与TFT基板(100)上的像素电极(130)共同构成阳极结构;
步骤S3、在TFT基板(100)的多个像素区域(101)内分别打印溶液态的OLED发光材料,对溶液态的OLED发光材料进行干燥,形成位于导电层(300)上的OLED发光层(400)。
2.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,还包括:
步骤S4、在像素定义层(200)及OLED发光层(400)上形成阴极层(500),得到OLED显示器。
3.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述TFT基板(100)包括:TFT阵列层(110)、覆盖于TFT阵列层(110)上的平坦化层(120)、及设于平坦化层(120)上的像素电极(130);
所述多个通孔(210)均暴露出像素电极(130)。
4.如权利要求3所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述像素电极(130)的材料为透明金属氧化物。
5.如权利要求1所述的OLED显示器的制作方法,其特征在于,所述溶液态的导电材料为溶液态的碳纳米银材料、或溶液态的碳纳米材料。
6.一种OLED显示器,其特征在于,包括:
TFT基板(100);
设于所述TFT基板(100)上的像素定义层(200),所述像素定义层(200)上设有多个通孔(210),所述多个通孔(210)在TFT基板(100)上限定出多个像素区域(101);
于像素区域(101)内设于TFT基板(100)上的导电层(300);
以及于像素区域(101)内设于导电层(300)上的OLED发光层(400);
所述导电层(300)通过在TFT基板(100)的多个像素区域(101)内分别打印溶液态的导电材料,并对溶液态的导电材料进行干燥而制得;
所述TFT基板(100)包括:TFT阵列层(110)、覆盖于TFT阵列层(110)上的平坦化层(120)、及设于平坦化层(120)上的像素电极(130);所述多个通孔(210)均暴露出像素电极(130),导电层(300)与像素电极(130)共同构成阳极结构。
7.如权利要求6所述的OLED显示器,其特征在于,还包括设于像素定义层(200)及OLED发光层(400)上的阴极层(500)。
8.如权利要求6所述的OLED显示器,其特征在于,所述像素电极(130)的材料为透明金属氧化物。
9.如权利要求6所述的OLED显示器,其特征在于,所述溶液态的导电材料为溶液态的碳纳米银材料、或溶液态的碳纳米材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的