[发明专利]一种衬底基板、显示基板、显示装置及制作方法有效
申请号: | 201710898576.8 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107706197B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 代青 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 衬底 显示 显示装置 制作方法 | ||
本发明提供一种衬底基板、显示基板、显示装置及制作方法,所述衬底基板表面的至少一个边缘设置有凹槽结构,所述凹槽结构内设置有消光元件,所述消光元件能够将从所述衬底基板入射的光线引导至所述凹槽结构内并吸收所述光线。本发明实施例中,采用所述衬底基板的显示装置在显示时,能够避免光线从衬底基板的边缘射出,使得显示装置的边缘不再漏光,提高显示装置的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种衬底基板、显示基板、显示装置及制作方法。
背景技术
平板显示器以其轻薄等优点逐渐成为目前主流的显示器件,然而在显示器件的边缘经常能看到漏光现象,导致边缘发亮。这是由于目前的平板显示器,绝大多数都是在玻璃等平面材质上进行制备的。从显示器件内部发出的光,大部分通过基板正面射出,进入到人眼中被有效利用,而仍有一小部分光线在基板与空气界面发生全反射效应,无法从基板正面方向射出,而是以多次全反射的模式,最后从基板边缘的端面射出,大量的光线聚集在面积较小的端面并射出,导致了边缘明显发亮现象,也即边缘漏光的一种情况。例如,如图1所示的有机电致发光二极管(OLED)显示装置,其中,11为下基板,12为上基板,13为位于下基板11和上基板12之间的有机发光层,从有机发光层13的发光点2射出的光线,通常有近1/4到1/5的光线不能从器件正面射出,该部分光线很大一部分通过基板的全反射效应从边缘射出(图1中3为全反射光线,4为射出到基板边缘外部的光线),导致基板的横断面出现发亮现象。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种衬底基板、显示基板、显示装置及制作方法,用于解决现有的显示装置边缘漏光的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种衬底基板,所述衬底基板表面的至少一个边缘设置有凹槽结构,所述凹槽结构内设置有消光元件,所述消光元件能够将从所述衬底基板入射的光线引导至所述凹槽结构内并吸收所述光线。
优选地,所述消光元件包括至少一层吸光层。
优选地,所述至少一层吸光层中包括第一吸光层,所述第一吸光层由多孔结构层和位于所述多孔结构层的孔状结构内的吸光材料组成,所述多孔结构层的折射率大于所述衬底基板的折射率。
优选地,所述至少一层吸光层中包括第二吸光层,所述第二吸光层由吸光材料和基底材料的混合材料制成,所述基底材料的折射率大于所述衬底基板的折射率。
优选地,所述消光元件还包括至少一层光导层,所述光导层位于所述凹槽结构的内壁和所述吸光层之间,所述光导层的折射率大于所述衬底基板的折射率。
优选地,所述消光元件包括至少两层光导层,从靠近所述凹槽结构的内壁至远离所述凹槽结构的内壁的方向上,所述至少两层光导层的折射率逐渐增大。
优选地,最靠近所述凹槽结构的内壁的所述光导层的折射率与所述衬底基板的折射率之差小于预设阈值。
本发明实施例还提供一种显示基板,包括上述衬底基板。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述显示基板。
优选地,所述显示装置还包括:与所述显示基板相对设置的对向基板,所述对向基板包括上述衬底基板。
本发明实施例还提供一种衬底基板的制作方法,用于形成上述衬底基板,所述制作方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板表面的至少一个边缘形成凹槽结构;
在所述凹槽结构内形成消光元件,所述消光元件能够将从所述衬底基板入射的光线引导至所述凹槽结构内并吸收所述光线。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的