[发明专利]一种衬底基板、显示基板、显示装置及制作方法有效
申请号: | 201710898576.8 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107706197B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 代青 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 衬底 显示 显示装置 制作方法 | ||
1.一种衬底基板,其特征在于,所述衬底基板的表面的至少一个边缘设置有凹槽结构,所述凹槽结构内设置有消光元件,所述消光元件能够将从所述衬底基板入射的光线引导至所述凹槽结构内并吸收所述光线;
所述消光元件包括至少一层吸光层;
所述消光元件还包括至少一层光导层,所述光导层位于所述凹槽结构的内壁和所述吸光层之间,所述光导层的折射率大于所述衬底基板的折射率。
2.根据权利要求1所述的衬底基板,其特征在于,所述至少一层吸光层中包括第一吸光层,所述第一吸光层由多孔结构层和位于所述多孔结构层的孔状结构内的吸光材料组成,所述多孔结构层的折射率大于所述衬底基板的折射率。
3.根据权利要求1所述的衬底基板,其特征在于,所述至少一层吸光层中包括第二吸光层,所述第二吸光层由吸光材料和基底材料的混合材料制成,所述基底材料的折射率大于所述衬底基板的折射率。
4.根据权利要求1所述的衬底基板,其特征在于,所述消光元件包括至少两层光导层,从靠近所述凹槽结构的内壁至远离所述凹槽结构的内壁的方向上,所述至少两层光导层的折射率逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的衬底基板,其特征在于,最靠近所述凹槽结构的内壁的所述光导层的折射率与所述衬底基板的折射率之差小于预设阈值。
6.一种显示基板,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的衬底基板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示基板。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,还包括:与所述显示基板相对设置的对向基板,所述对向基板包括如权利要求1-5任一项所述的衬底基板。
9.一种衬底基板的制作方法,其特征在于,用于形成如权利要求1-5任一项所述的衬底基板,所述制作方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的表面的至少一个边缘形成凹槽结构;
在所述凹槽结构内形成消光元件,所述消光元件能够将从所述衬底基板入射的光线引导至所述凹槽结构内并吸收所述光线;
所述消光元件包括至少一层吸光层;
所述消光元件还包括至少一层光导层,所述光导层位于所述凹槽结构的内壁和所述吸光层之间,所述光导层的折射率大于所述衬底基板的折射率。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的