[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710897693.2 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107706196B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 周刚;孟佳;杨小飞;金香馥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可改善因信号线被腐蚀而导致的显示不良的问题。所述阵列基板包括衬底,还包括依次设置在所述衬底上的信号线、导电保护图案、至少一层绝缘层和透明导电图案,所述导电保护图案设置在所述信号线的表面,所述至少一层绝缘层上设置有过孔,所述透明导电图案通过所述过孔与所述信号线接触;所述过孔在所述衬底上的正投影落入所述导电保护图案在所述衬底上的正投影内,所述导电保护图案在所述衬底上的正投影落入所述信号线在所述衬底上的正投影内。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
现有的显示装置包括阵列基板,阵列基板包括设置在衬底上的信号线,IC(integrated circuit,集成电路)在绑定区与信号线连接,向信号线输出相应的信号。由于信号线与IC不同层,信号线与IC连接时,通常采用不同的透明导电图案通过过孔分别与信号线连接的方式,来完成信号线的转接。
如图1(a)所示,信号线20通常由依次设置在衬底10上的Nd(钕)合金膜层和Mo(钼)膜层制备形成,通过干法刻蚀工艺形成过孔时,工艺气体被电离,产生的等离子体会对金属材料具有较强的轰击作用,使金属Mo的金属晶格状态被破坏,导致Mo金属层21上形成孔洞。由于透明导电图案30较薄、并且结构不致密,而Nd合金层22的腐蚀速度又非常快,导致环境中水汽容易经过Mo金属层21上的孔洞,对Nd合金层22造成大面积的腐蚀。如图1(b)所示,一方面,Nd合金层22大面积腐蚀后,Mo金属层21在Nd合金层22被腐蚀处会向下凹陷,容易导致Mo金属层21断裂;另一方面,Nd合金层22在腐蚀过程中,会对Mo金属层21产生影响,导致Mo金属层21也会出现一定程度的腐蚀,最终导致信号线20断裂,从而产生显示不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,可改善因信号线被腐蚀而导致的显示不良的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,包括衬底,还包括依次设置在所述衬底上的信号线、导电保护图案、至少一层绝缘层和透明导电图案,所述导电保护图案设置在所述信号线的表面,所述至少一层绝缘层上设置有过孔,所述透明导电图案通过所述过孔与所述信号线接触;所述过孔在所述衬底上的正投影落入所述导电保护图案在所述衬底上的正投影内,所述导电保护图案在所述衬底上的正投影落入所述信号线在所述衬底上的正投影内。
优选的,所述信号线包括栅线和公共电极线;所述导电保护图案包括设置在所述栅线表面的第一导电保护图案和设置在所述公共电极线表面的第二导电保护图案。
优选的,所述阵列基板包含的薄膜晶体管中的沟道区在所述衬底上的正投影与所述导电保护图案在所述衬底上的正投影不交叠。
优选的,所述导电保护图案的厚度为
优选的,所述导电保护图案的材料与所述透明导电图案的材料相同。
优选的,所述信号线包括依次设置在所述衬底上的Nb合金层和Mo金属层。
第二方面,提供一种阵列基板的制备方法,包括:在衬底上形成信号线和导电保护图案,所述导电保护图案在所述衬底上的正投影落入所述信号线在所述衬底上的正投影内;在形成有所述导电保护图案的衬底上形成至少一层绝缘层;所述至少一层绝缘层上形成有过孔,所述过孔在所述衬底上的正投影落入所述导电保护图案在所述衬底上的正投影内;在形成有所述至少一层绝缘层的衬底上形成透明导电图案,所述透明导电图案通过所述过孔与所述信号线接触。
优选的,所述方法还包括:在衬底上形成半导体层,所述半导体层包括沟道区;所述沟道区在所述衬底上的正投影与所述导电保护图案在所述衬底上的正投影不交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的