[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成信号线和导电保护图案，所述导电保护图案在所述衬底上的正投影落入所述信号线在所述衬底上的正投影内；

在形成有所述导电保护图案的衬底上形成至少一层绝缘层；所述至少一层绝缘层上形成有过孔，所述过孔在所述衬底上的正投影落入所述导电保护图案在所述衬底上的正投影内；

在形成有所述至少一层绝缘层的衬底上形成透明导电图案，所述透明导电图案通过所述过孔与所述信号线接触；

形成所述信号线和所述导电保护图案的步骤，包括：

在衬底上依次形成金属薄膜和导电薄膜，并形成覆盖所述导电薄膜的光刻胶；

采用半透掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区、光刻胶完全去除区；

对对应于光刻胶完全去除区的所述导电薄膜和所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述信号线；

对光刻胶半保留区的光刻胶进行灰化；

对对应于光刻胶半保留区的所述导电薄膜进行刻蚀，形成所述导电保护图案；

剥离对应于光刻胶完全保留区的光刻胶；

或者，

在衬底上形成金属薄膜，并图案化形成所述信号线；

在形成有所述信号线的衬底上形成导电薄膜，并图案化形成所述导电保护图案；

所述信号线包括栅线和公共电极线；

所述导电保护图案包括设置在所述栅线表面的第一导电保护图案和设置在所述公共电极线表面的第二导电保护图案。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在衬底上形成半导体层，所述半导体层包括沟道区；

所述沟道区在所述衬底上的正投影与所述导电保护图案在所述衬底上的正投影不交叠。

3.一种采用如权利要求1-2任一项制备方法制作的阵列基板，包括衬底，其特征在于，还包括依次设置在所述衬底上的信号线、导电保护图案、至少一层绝缘层和透明导电图案，所述导电保护图案设置在所述信号线的表面，所述至少一层绝缘层上设置有过孔，所述透明导电图案通过所述过孔与所述信号线接触；

所述过孔在所述衬底上的正投影落入所述导电保护图案在所述衬底上的正投影内，所述导电保护图案在所述衬底上的正投影落入所述信号线在所述衬底上的正投影内；

所述信号线包括栅线和公共电极线；

所述导电保护图案包括设置在所述栅线表面的第一导电保护图案和设置在所述公共电极线表面的第二导电保护图案。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包含的薄膜晶体管中的沟道区在所述衬底上的正投影与所述导电保护图案在所述衬底上的正投影不交叠。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导电保护图案的厚度为200-2000Å。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导电保护图案的材料与所述透明导电图案的材料相同。

7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括依次设置在所述衬底上的Nb合金层和Mo金属层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求3-7任一项所述的阵列基板。