[发明专利]低耗电电源启动重设电路与参考信号电路有效
申请号: | 201710896659.3 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN109582077B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 魏进元;王志贤 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耗电 电源 启动 重设 电路 参考 信号 | ||
一种低耗电电源启动重设电路与参考信号电路。该电源启动重设电路包括信号产生电路,用以根据输入电压而产生第一信号以及第二信号;以及比较电路,具有一输入偏移,包括第一MOS晶体管,为第一导电型,且具有一第一导电型栅极以及一第一临界电压,以及第二MOS晶体管,为第一导电型,且具有一第二导电型栅极以及一第二临界电压;输入偏移相关于第一临界电压与第二临界电压的差值;第一信号与第二信号分别用以控制第一MOS晶体管与第二MOS晶体管而产生POR信号,当输入电压上升超过一POR阈值时,该比较输出信号由第一状态转为第二状态;其中POR阈值大致上为输入偏移与一默认倍数的乘积。
技术领域
本发明涉及一种电源启动重设电路与一种参考信号电路,特别是指一种低耗电,且具有低温度系数的电源启动重设电路与参考信号电路。
背景技术
一般而言,现有技术的电源启动重设(Power-On Reset,POR)电路或参考信号电路,为了能维持POR阈值或参考信号的低温度系数,多半采用以双载子晶体管所形成的能带隙(bandgap)参考电压产生器以产生一具有低温度系数的参考电压,用以作为参考信号,或是将参考电压与电源电压的分压相比较而获得POR信号。
然而以双载子晶体管所形成的能带隙(bandgap)电路所建构的现有技术POR电路或参考信号电路,其缺点在于,需要双载子晶体管且电路复杂,因此制造成本较高,且需要较大的操作电流。
本发明相较于前述的现有技术,具有电路简单的优点,可降低成本,且仅需极低的操作电流。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种低耗电电源启动重设电路与参考信号电路,具有电路简单的优点,可降低成本,且仅需极低的操作电流。
为了实现上述发明目的,就其中一个观点言,本发明提供了一种电源启动重设(Power-On Reset,POR)电路,用以根据一输入电压而产生一电源启动重设(Power-OnReset,POR)信号,包含:一信号产生电路,用以根据该输入电压而产生一第一信号以及一第二信号;以及一比较电路,具有一第一输入端与一第二输入端,分别电连接于该第一信号以及该第二信号,其中该比较电路比较该第一信号与该第二信号而产生一比较输出信号,其中该POR电路根据该比较输出信号而产生该POR信号,该比较电路包括:一第一MOS晶体管,耦接于该第一输入端,其中该第一MOS晶体管为第一导电型,且具有一第一导电型栅极,且具有一第一临界电压;以及一第二MOS晶体管,耦接于该第二输入端,其中该第二MOS晶体管为第一导电型,且具有一第二导电型栅极,且具有一第二临界电压;其中该第一MOS晶体管以及该第二MOS晶体管各自偏压于一次临界电压区;其中该第一信号与该第二信号分别用以控制该第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管而产生该比较输出信号;其中该比较电路的一差动输入电平具有一不为零的输入偏移(input offset),其中该输入偏移相关于该第一临界电压与该第二临界电压的差值;其中当该输入电压上升超过一第一POR阈值时,该比较输出信号由一第一状态转为一第二状态;其中该第一POR阈值大致上为该输入偏移与一默认倍数的乘积。
在一较佳实施例中,该第一MOS晶体管具有一第一长宽比,该第二MOS晶体管具有一第二长宽比,其中该第一MOS晶体管偏压于一第一偏压电流,该第二MOS晶体管偏压于一第二偏压电流,其中通过调整以下参数至少之一而使得该第一POR阈值的一温度系数大致上为零:(1)该第一长宽比,(2)该第二长宽比,(3)该第一偏压电流,(4)该第二偏压电流,(5)上述参数的乘积及/或上述参数间比值。
在一较佳实施例中,该POR电路还包括一信号调整电路,用以将该比较输出信号整形而产生该POR信号。
在一较佳实施例中,该第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管形成一输入差动对。
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