[发明专利]低耗电电源启动重设电路与参考信号电路

权利要求书

1.一种电源启动重设电路，其特征在于，用以根据一输入电压而产生一电源启动重设信号，包含：

一信号产生电路，用以根据该输入电压而产生一第一信号以及一第二信号；以及

一比较电路，具有一第一输入端与一第二输入端，分别电连接于该第一信号以及该第二信号，其中该比较电路比较该第一信号与该第二信号而产生一比较输出信号，其中该电源启动重设电路根据该比较输出信号而产生该电源启动重设信号，该比较电路包括：

一第一MOS晶体管，耦接于该第一输入端，其中该第一MOS晶体管为第一导电型，且具有一第一导电型栅极，且具有一第一临界电压；以及

一第二MOS晶体管，耦接于该第二输入端，其中该第二MOS晶体管为第一导电型，且具有一第二导电型栅极，且具有一第二临界电压；

其中该第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管同为以下之一型态的MOS晶体管：(1)增强型MOS晶体管、(2)耗尽型MOS晶体管或(3)原生型MOS晶体管；

其中该第一MOS晶体管以及该第二MOS晶体管各自偏压于一次临界电压区；

其中该第一信号与该第二信号分别用以控制该第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管而产生该比较输出信号；

其中该比较电路的一差动输入电平具有一不为零的输入偏移，其中该输入偏移相关于该第一临界电压与该第二临界电压的差值；

其中当该输入电压上升超过一第一电源启动重设阈值时，该比较输出信号由一第一状态转为一第二状态；

其中该第一电源启动重设阈值为该输入偏移与一默认倍数的乘积。

2.根据权利要求1所述的电源启动重设电路，其中，该第一MOS晶体管具有一第一长宽比，该第二MOS晶体管具有一第二长宽比，其中该第一MOS晶体管偏压于一第一偏压电流，该第二MOS晶体管偏压于一第二偏压电流，其中通过调整以下参数至少之一而使得该第一电源启动重设阈值的一温度系数为零：(1)该第一长宽比，(2)该第二长宽比，(3)该第一偏压电流，(4)该第二偏压电流，(5)上述参数的乘积及/或上述参数间比值。

3.根据权利要求1所述的电源启动重设电路，其中，还包括一信号调整电路，用以将该比较输出信号整形而产生该电源启动重设信号。

4.根据权利要求1所述的电源启动重设电路，其中，该第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管形成一输入差动对。

5.根据权利要求4所述的电源启动重设电路，其中，该输入差动对为一共源极差动对，其中该第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管的源极共同耦接于一共源极节点而形成该共源极差动对，该第一MOS晶体管的栅极耦接于该第一输入端，该第二MOS晶体管的栅极耦接于该第二输入端，且该比较电路根据该第一MOS晶体管的一第一漏极电流以及该第二MOS晶体管的一第二漏极电流的差值而产生该比较输出信号。

6.根据权利要求5所述的电源启动重设电路，其中，该比较电路还包括一电流镜电路，与该第一MOS晶体管以及该第二MOS晶体管耦接，用以镜像且比较该第一漏极电流与该第二漏极电流而产生该比较输出信号。

7.根据权利要求6所述的电源启动重设电路，其中，通过调整该电流镜电路的一镜像比例而使得该第一电源启动重设阈值的一温度系数为零。

8.根据权利要求5所述的电源启动重设电路，其中，该第一MOS晶体管偏压于一第一偏压电流，该第二MOS晶体管偏压于一第二偏压电流，该比较电路还包括一偏压电路，其中该偏压电路包括一偏压电流源或一偏压电阻，耦接于该共源极节点，用以提供该第一偏压电流与该第二偏压电流。

9.根据权利要求1所述的电源启动重设电路，其中，该第一信号与该第二信号为该输入电压的不同比例的分压。