[发明专利]双数据线测试方法、电路及制作方法、阵列基板、显示装置有效

专利信息
申请号: 201710895435.0 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN107463015B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 华明;滕飞;张小松;李国栋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 滕一斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 双数 测试 方法 电路 制作方法 阵列 显示装置
【说明书】:

发明公开了一种双数据线测试方法、电路及制作方法、阵列基板、显示装置,属于显示器领域。所述双数据线测试电路包括至少一条测试线,每条所述测试线被配置为用于对阵列基板上的至少两对数据线进行测试,采用同一条所述测试线测试的所述至少两对数据线相邻布置,每对数据线包括两条连接同一列子像素单元的数据线,每对所述数据线中的一条数据线与对应的所述测试线连接;每条所述测试线上均设置有至少一个开关,每条所述测试线在与任意相邻的两对数据线的连接点之间的部分设置有一个开关,每个所述开关的控制端均连接有控制线。

技术领域

本发明涉及显示器领域,特别涉及一种双数据线测试方法、电路及制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是利用夹在上下两个基板之间的液晶分子层上电场强度的变化,改变液晶分子的取向,从而控制透光的强弱来显示图像的显示器件。液晶显示面板的结构一般包括背光模组、阵列基板、彩膜(Color Filter,CF)基板以及填充在这两个基板组成的盒中的液晶分子层。阵列基板上阵列布置有大量的子像素单元,每个子像素单元均包括一个TFT;通常,每行子像素单元的TFT与一条横向布置的栅线连接,栅线用于控制TFT的通断,每列子像素单元的TFT与一条纵向布置的数据线连接,数据线用于通过TFT向像素电极写入数据电压。

随着TFT-LCD分辨率的不断提高,阵列基板上的子像素单元的列数增多,这样导致在一帧画面的显示中,每一列子像素单元的充电时间(写入数据电压的时间)能够占用的时间越来越短,造成子像素单元的数据电压难以充到目标值。

为了解决高分辨率TFT-LCD数据电压充电问题,相关技术中提供了一种双数据线(dual data)设计,在dual data设计中,一列子像素单元的TFT同时与两条数据线连接,N列子像素单元对应2N条数据线(N为阵列基板上的子像素单元的列数),从而能够通过两条数据线(两条数据线写入的信号不同)同时向一个子像素单元写入数据信号,解决充电时间短的问题。

在基板制作过程中,在数据线图案制作完成后,会有数据线检测工序。对于每条数据线,在其两端分别通过探测设备进行非接触式发射、接收信号,并通过分析信号衰减来进行短路、断路等缺陷测试。但对于dual data设计而言,在进行短路测试时,如果连接同一列子像素单元的两条数据线发生短路,则在探测设备的接收端能够检测到信号发生一定程度的衰减;如果连接同一列子像素单元的两条数据线未发生短路,由于在dual data设计中,连接同一列子像素单元的两条数据线之间的间距很小(通常小于10微米,常规设计的数据线间距大于40微米),所以两条数据线之间存在很大的噪声,造成探测设备的接收端同样会检测到信号发生衰减,且两种情况下检测到的衰减程度接近,从而导致在dual data设计中短路缺陷难以检测。

发明内容

为了解决现有技术中dual data设计中短路缺陷难以检测的问题,本发明实施例提供了一种双数据线测试方法、电路及制作方法、阵列基板、显示装置。所述技术方案如下:

第一方面,本发明实施例提供了一种双数据线测试电路,所述双数据线测试电路包括至少一条测试线,每条所述测试线被配置为用于对阵列基板上的至少两对数据线进行测试,采用同一条所述测试线测试的所述至少两对数据线相邻布置,每对数据线包括两条连接同一列子像素单元的数据线,每对所述数据线中的一条数据线与对应的所述测试线连接;

每条所述测试线上均设置有至少一个开关,每条所述测试线在与任意相邻的两对数据线的连接点之间的部分设置有一个开关,每个所述开关的控制端均连接有控制线。

在本发明实施例的一种实现方式中,所述双数据线测试电路包括一条测试线,所述测试线同时与所述阵列基板上的每一对数据线连接。

在本发明实施例的另一种实现方式中,各个所述开关与同一条所述控制线电连接。

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