[发明专利]一种存储器坏点管理的实现方法在审

专利信息
申请号: 201710895006.3 申请日: 2017-09-28
公开(公告)号: CN107908506A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 彭永林 申请(专利权)人: 芯海科技(深圳)股份有限公司
主分类号: G06F11/20 分类号: G06F11/20;G11C29/00
代理公司: 深圳市凯达知识产权事务所44256 代理人: 刘大弯
地址: 518067 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器 管理 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器坏点管理的实现方法,其特征在于该实现方法首先在存储器开辟一个坏点管理区和一个备用数据区,实现步骤如下:

101、在烧写器烧写过程中,芯片自动实现判断存储器地址是否失效而无法保存数据,同时把此处的地址记录下来,保存到坏点管理区;

102、芯片判断坏点之后,把此时需要烧写的数据烧写到备用数据区,则备用数据区地址代替了坏点地址,实现坏点管理的目的;

103、芯片上电启动时,必须先加载坏点管理区,以便在CPU运行时,实时判断程序取指地址是否等于坏点;

104、CPU运行时,实时判断程序取指地址是否等于坏点,及时把坏点替换为备用数据区地址,使得CPU取出正确的程序数据,芯片程序正常运行。

2.如权利要求1所述的存储器坏点管理的实现方法,其特征在于具体实现的控制流程如下:

S1、烧写器发送烧写命令;

S2、启动烧写模式,进行自动烧写;外部烧写器按照时序对芯片存储器进行烧写,芯片自动实现烧写;

S3、芯片烧写结束后,芯片自动开始对当前地址进行一次读存储器,校验数据是否等于需要烧写的数据,判断是否已经正确烧写数据到存储器;

S4、如果第一次读自校验不成功,则芯片自动开始对当前地址烧写第二次烧写,烧写完再进行一次读自校验;

S5、如果第二次读自校验不成功,则把当前地址认定为坏点,把其烧写进存储器的失效地址区,把当前需要烧写的数据烧写进存储器的备用数据区;

S6、把烧写结果保存到寄存器,同时坏点计数器加1,记录下坏点个数;

S7、芯片烧写结束后,会有一个结束标志位,外部烧写器可监控此结束标志位,进行下一步的操作;

S8、重复S1步到S7步,直到整个需要烧写的程序数据烧写完毕。

3.如权利要求2所述的存储器坏点管理的实现方法,其特征在于该方法还包括有:

S9、烧写器把程序数据烧写完毕之后,代表着如果有存在坏点,都已经更新到坏点管理区,数据更新到备用数据区;

S10、芯片设计中需要在芯片上电的时候,加载坏点管理区,把所有的坏点保存到寄存器;

S11、芯片上电程序运行,程序运行过程中,芯片设计加入判断机制,实时判断程序取指地址是否等于坏点;

S12、程序运行到取指为坏点位置时,地址自动替换为备用数据区地址,进而读取备用数据区数据,让程序正常运行。

4.如权利要求3所述的存储器坏点管理的实现方法,其特征在于所述坏点管理区和备用数据区设置为64个地址;烧写结果4位寄存器,坏点计数器6位寄存器,烧写结束标志位1位寄存器;读自校验,以及烧写过程寄存器若干;上电加载坏点管理区所需寄存器64个。

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