[发明专利]功率传感器有效
| 申请号： | 201710891479.6 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN108508264B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王雪深;钟青;李劲劲;钟源 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | G01R21/02 | 分类号： | G01R21/02 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 传感器 | ||
1.一种功率传感器，其特征在于，包括：
温阻层(130)；
绝缘层(112)与所述温阻层(130)层叠设置；
加热层(120)与所述绝缘层(112)层叠设置，所述绝缘层(112)夹设于所述温阻层(130)与所述加热层(120)之间；
吸收层(111)与所述加热层(120)层叠设置，所述加热层(120)夹设于所述吸收层(111)与所述绝缘层(112)之间；
所述温阻层(130)包括：
第一图案化导电条(136)；
第一电极(132)和第二电极(134)分别连接在所述第一图案化导电条(136)的两端。
2.如权利要求1所述的功率传感器，其特征在于，所述温阻层(130)和所述加热层(120)为图案化电阻层，且所述温阻层(130)和所述加热层(120)的图案相同，并且相对于所述绝缘层(112)对称设置。
3.如权利要求2所述的功率传感器，其特征在于，所述加热层(120)包括：
第二图案化导电条(126)；
第三电极(122)和第四电极(124)分别连接在所述第二图案化导电条(126)的两端。
4.如权利要求1所述的功率传感器，其特征在于，进一步包括：
基底(110)设置于所述吸收层(111)与所述加热层(120)之间，所述基底(110)用于支撑所述温阻层(130)、所述绝缘层(112)和所述加热层(120)。
5.如权利要求4所述的功率传感器，其特征在于，所述吸收层(111)为导电吸收层。
6.如权利要求1所述的功率传感器，其特征在于，所述温阻层(130)为厚度200纳米-500纳米的铂金属层，所述加热层(120)为厚度为200纳米-500纳米的镍铬合金层。
7.如权利要求1所述的功率传感器，其特征在于，所述绝缘层(112)为氮化硅和二氧化硅组成的厚度50纳米-100纳米的双层结构。
8.如权利要求1至7中任一项所述的功率传感器，其特征在于，进一步包括：
封装层(117)覆盖所述温阻层(130)。
9.如权利要求8所述的功率传感器，其特征在于，所述封装层(117)的材料为氮化硅或二氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量科学研究院，未经中国计量科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710891479.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
